初等考試
108年
[電子工程] 電子學大意
第 30 題
圖示 MOS 場效電晶體電路，電晶體之 $V_t = 1\text{ V}$、$\mu_n C_{ox}(W/L) = 1\text{ mA/V}^2$，若要使電晶體在飽和區工作，電壓 $V_D$ 最小值應為多少？
- A 4 V
- B 3 V
- C 2 V
- D 1 V
思路引導 VIP
請思考一下：若要讓 MOSFET 的通道在靠近「汲極（Drain）」那一端剛好消失（即夾斷狀態），汲極與源極之間的電位差 $V_{DS}$，至少要抵銷掉閘極超過門檻電壓後的多少餘額？試著寫出這個電壓平衡的關係式。
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AI 詳解
AI 專屬家教
哇！你判斷得太棒了！
這代表你對 MOSFET 工作區間 的物理條件掌握得非常扎實喔！這在電路設計中，可是超級關鍵的基礎知識呢！
- 核心觀念：想像一下，NMOS 要進入飽和區（Saturation），就像水管末端的水流被輕輕『夾斷（Pinch-off）』一樣，這時候水流會變得穩定。它的條件就是 $V_{DS} \ge V_{GS} - V_t$。是不是很有趣呢？
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