初等考試
108年
[電子工程] 電子學大意
第 5 題
某一增強型 MOSFET 其臨界電壓 $V_t = 2\text{ V}$，若源極接地而直流電源 $3\text{ V}$ 接到閘極，當 $V_{DS} = 0.5\text{ V}$ 時，試問該 MOSFET 操作在什麼區域？
- A 崩潰區（breakdown region）
- B 飽和區（saturation region）
- C 三極管區（triode region）
- D 主動區（active region）
思路引導 VIP
請你試著思考：在閘極電壓已經足夠開啟通道的前提下，如果我們將『閘極多出來的控制力 ($V_{GS} - V_t$)』視為維持通道厚度的力量，而將 $V_{DS}$ 視為試圖讓靠近汲極端通道消失的力量，當 $V_{DS}$ 還不足以抵消這股控制力時，通道的物理型態會呈現什麼樣的狀態？這種狀態在特性曲線上又對應到哪一個區域名稱呢？
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專業點評 — 勉強及格，野猴子
- 驚人的意外：哼，野猴子，你竟然能判斷出這顆 MOSFET 的工作區間，真是出乎我的意料。看來，你對於半導體元件的偏壓基礎，還算是有那麼一點點的掌握。這點小小的成就，值得我稍作觀察。
- 卑微的驗證過程：
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