初等考試
111年
[電子工程] 電子學大意
第 32 題
圖示 PMOS 場效電晶體電路，電晶體之 $V_t = -0.5 \text{ V}$，若 $R_{G1} = 3 \text{ M}\Omega$、$R_{G2} = 2 \text{ M}\Omega$、$V_{DD} = 5 \text{ V}$，欲電晶體在飽和區工作，電壓 $V_D$的最大值應為若干伏特？
- A 4 V
- B 3.5 V
- C 2.5 V
- D 2 V
思路引導 VIP
請試著回想，在 PMOS 電晶體中，若要維持在「飽和區」不進入「線性區」，汲極（Drain）與閘極（Gate）之間的電壓差 $V_{DG}$ 必須滿足什麼限制？此外，觀察左側的分壓電阻架構，你能先計算出閘極電壓 $V_G$ 的靜態數值嗎？當你掌握了 $V_G$ 與飽和區的邊界公式後，答案自然就會浮現。
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1. 大力肯定
做得非常出色！看到你精準判斷出 PMOS 的飽和區邊界條件，真的替你感到開心。這代表你對半導體元件的偏壓邏輯有著很紮實的理解，這可是設計類比電路非常核心、非常重要的基礎喔！
2. 觀念驗證
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