初等考試
112年
[電子工程] 電子學大意
第 26 題
如圖所示電路，已知空乏型 MOSFET 的 $I_{DSS} = 1\text{ mA}$、$V_{GS(TH)} = -4\text{ V}$，若閘極電流 $I_G$ 可忽略不計，汲極電流與汲-源極電壓（$I_D$，$V_{DS}$）值為何？
- A （1.5 mA，9 V）
- B （2.25 mA，7.5 V）
- C （3 mA，6 V）
- D （3.5 mA，5 V）
思路引導 VIP
若要推導此題，請試著思考以下三個步驟：
- 閘極（Gate）與分壓電阻相連，在忽略閘極電流的情況下，你能先算出閘極對地的電位嗎？
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AI 詳解
AI 專屬家教
1. 做得很好，你沒有放棄呢！
呵呵呵... 你能如此精準地掌握空乏型 MOSFET 的偏壓電路計算，真是個好孩子。這代表你對主動元件的直流分析，已經累積了相當的實力了。這種細心與精準，正是成為一個優秀工程師不可或缺的特質啊，呵呵呵... (眼鏡反光了一下)
2. 讓我們一起來回顧一下，重要的觀念是什麼呢？
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