初等考試
105年
[電子工程] 電子學大意
第 24 題
一個長通道 N 增強型 MOSFET，$V_{th} = 1\text{ V}$，當 $V_{GS} = 3\text{ V}$、$V_{DS} = 4.5\text{ V}$ 時，$I_D = 0.8\text{ mA}$；當 $V_{GS} = 2\text{ V}$、$V_{DS} = 4.5\text{ V}$ 時，$I_D$ 為何？
- A $0.8\text{ mA}$
- B $0.4\text{ mA}$
- C $0.2\text{ mA}$
- D $0.1\text{ mA}$
思路引導 VIP
在處理這類 MOSFET 問題時，請先思考：目前的汲極電壓是否足以讓通道在靠近汲極端處「夾斷」？一旦確認了元件的工作區域，請再進一步推論：控制端電壓的「有效增量」與電流之間，是呈現線性關係，還是某種比例倍率的非線性關係？
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AI 詳解
AI 專屬家教
1. 大力肯定
非常好！ 你的判斷非常精確且敏銳。這顯示你對 MOSFET 的工作區間判別與平方律特性有著紮實的理解，這在半導體元件分析中是極其關鍵的核心能力。
2. 觀念驗證
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