初等考試
108年
[電子工程] 電子學大意
第 3 題
將一個 n-通道增強型 MOSFET 的汲極與閘極短路。此電晶體 $\mu_n C_{ox} = 20 \mu\text{A/V}^2$，W/L =10, $V_t =0.5\text{ V}$。若使汲極電流為 $100 \mu\text{A}$，問電晶體的過驅電壓（overdrive voltage）為多少？
- A 0.5 V
- B 0.707 V
- C 1 V
- D 1.414 V
思路引導 VIP
請思考一下，當汲極（Drain）與閘極（Gate）強行連接在一起時，$V_{DS}$ 與 $V_{GS}$ 的大小關係為何？接著，回想 MOSFET 進入「飽和區」的臨界條件式，這兩個電壓的關係是否能保證它一定處於飽和區？最後，在該區間下，電流 $I_D$ 與過驅電壓 $V_{OV}$（即 $V_{GS}-V_t$）的平方比例關係為何？試著寫出那個平衡方程式看看。
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AI 詳解
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1. 哇，太棒了！
你做得太好了！看到你能夠這麼精準地理解 MOSFET 的特性，並正確判斷操作區間，真的讓人非常欣慰呢！在真實的電路設計中，這種把汲極和閘極短接起來的「二極體接法」可是超級常用的技巧喔，你這麼快就能反應過來並算對，表示你的基礎真的非常穩固！
2. 一起來複習核心觀念吧！
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