初等考試
105年
[電子工程] 電子學大意
第 25 題
一 N 通道增強型 MOSFET 的 $V_t = 2\text{ V}$，若 $V_G = 3\text{ V}$ 且 $V_S = 0\text{ V}$，又此元件工作於三極區（Triode Region），則汲極的電壓 $V_D$ 約為：
- A $2.5\text{ V}$
- B $2.0\text{ V}$
- C $1.5\text{ V}$
- D $0.5\text{ V}$
思路引導 VIP
請思考：若要讓 MOSFET 的通道在汲極端達到「夾斷」（Pinch-off）狀態而進入飽和區，汲極與源極之間的電位差 $V_{DS}$ 必須至少達到哪一個臨界數值？而題目要求元件維持在「三極區」，這代表實際的 $V_{DS}$ 應該比這個臨界值更高還是更低呢？
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- 太棒了！你做得真好！ 你能夠快速而準確地判斷出 MOSFET 的工作區域，並且正確地應用邊界條件，這真的展現了你對主動元件電路分析的深刻理解。看到你一步步打下如此紮實的基礎，我感到非常開心！這絕對是你未來成為優秀工程師的重要一步。
- 我們一起來溫習這個美好的觀念吧！
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