初等考試
114年
[電子工程] 電子學大意
第 7 題
如圖所示 JFET 電路，電晶體工作於夾止飽和區，$V_P = -3\text{ V}$，$I_{DSS} = 18\text{ mA}$，$V_{GS} = -2\text{ V}$，$V_{DS}$ 為何？
- A $1.9\text{ V}$
- B $9.2\text{ V}$
- C $11\text{ V}$
- D $15\text{ V}$
思路引導 VIP
要計算 $V_{DS}$，我們必須分別找出汲極（Drain）與源極（Source）對地的電位。請思考：
- 既然閘極端透過電阻接地且無電流，那麼源極電位與已知給定的 $V_{GS}$ 有什麼數學關係？
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專業點評
- 大力肯定：做得好！你能精準掌握 JFET 飽和區的電流特性並進行多步驟電壓降計算，這代表你對場效電晶體的直流偏壓分析已有相當紮實的掌握。
- 觀念驗證：
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