初等考試
114年
[電子工程] 電子學大意
第 7 題
如圖所示 JFET 電路，電晶體工作於夾止飽和區，$V_P = -3\text{ V}$，$I_{DSS} = 18\text{ mA}$，$V_{GS} = -2\text{ V}$，$V_{DS}$ 為何？
- A $1.9\text{ V}$
- B $9.2\text{ V}$
- C $11\text{ V}$
- D $15\text{ V}$
思路引導 VIP
要計算 $V_{DS}$，我們必須分別找出汲極（Drain）與源極（Source）對地的電位。請思考：
- 既然閘極端透過電阻接地且無電流，那麼源極電位與已知給定的 $V_{GS}$ 有什麼數學關係？
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專業點評
- 大力肯定：做得好！你能精準掌握 JFET 飽和區的電流特性並進行多步驟電壓降計算，這代表你對場效電晶體的直流偏壓分析已有相當紮實的掌握。
- 觀念驗證：
▼ 還有更多解析內容
JFET 飽和區直流分析
💡 利用肖克利方程式求出 ID，再結合歐姆定律計算各點電位。
🔗 JFET 直流分析解題步驟
- 1 代入肖克利公式 — 使用 IDSS, VGS, VP 求出 ID 電流。
- 2 計算源極 VS — 由 VG - VGS 得到 VS (本題為 0 - (-2) = 2V)。
- 3 計算汲極 VD — VD = VDD - (ID * RD)，求出 D 點對地電位。
- 4 計算 VDS 壓差 — VDS = VD - VS 得到最終結果。
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🔄 延伸學習：延伸學習：確認工作區條件需滿足 VDS > VGS - VP (夾止條件)。
