110年初等考試 — 電子學大意

共 40 題 · 含 AI 詳解

#1 圖示為某 $V_t = 1\text{ V}$ 之 NMOS 場效電晶體所構成的電路，若電晶體工作在飽和區（saturation region），下列有關電壓… › #2 如圖所示之電路，OP AMP 為理想。求 $v_o/v_{id}$： › #3 如圖所示為運算放大器電路，若要消除該運算放大器自身輸入偏壓電流（input bias current）對輸出電壓的影響，試求電路上的電阻 $R =$？ › #4 已知一正弦波經半波整流後之電壓波形 $v(t)$ 如圖所示，試問其平均值是多少伏特（V）？ › #5 有一 p 通道接面場效電晶體的 $V_{GS(off)} = + 4\text{ V}$，$I_{DSS}=6\text{ mA}$，則當 $V_{GS} = + 6\text{ V}$… › #6 在共源極（common source）放大器中，若 FET 的 $V_{GS}$ 未達臨界電壓，則汲極端的電壓為： › #7 如果將電容濾波全波整流器的負載阻抗降低，則漣波電壓會如何變化？ › #8 如圖電路中，將訊號源連接在輸入端 $V_1$ 和 $V_2$ 之間，所看到的輸入電阻為 $R_{in1}$；將訊號源同時連接在輸入端 $V_1$ 和 $V_2$… › #9 令流入運算放大器輸入端之電流為 $I_i$，兩輸入端間電壓差為 $V_i$，則一個理想反相運算放大器之虛接地（virtual ground）特性為： › #10 如圖所示之電路，假如 $A_o =\infty$，求此電路之閉迴路增益為何？ › #11 圖示理想運算放大器電路中，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為 $\pm 12\text{V}$，輸入電壓 $v_I$ 為 -2V，則 $v_O$ 為若干？ › #12 雙極性接面電晶體工作於主動區（active region）的輸出阻抗 $r_o$，是下列何種效應所造成？ › #13 如圖示截波電路，其中輸入信號 $v_i(t)$ 為振幅 12 伏特的弦波且 D 為理想二極體，如果要得到峰對峰電壓值為 16 伏特的輸出信號，則偏壓電源 $V_R$… › #14 運算放大器反相微分器（differentiator）電路中，回授電路元件為： › #15 如圖所示之電路，二極體為理想，若 $V_{in}$ 為一 DC 值為零且振幅為 5V 的正弦波，求最高及最低的 $V_{out}$ 為何？ › #16 稽納（Zener）二極體若應用在穩壓電路時，其工作區域為： › #17 下圖電路中輸入信號為弦波 $v_i(t)=0.5 \sin 10t$ 伏特，二極體 D1 與 D2 之導通電壓皆為 0.7 V，導通電阻為 $100 \Omega$… › #18 圖中二極體 D1 之導通電壓為 0.7V，導通電阻為 $0 \Omega$，電容 C 兩端之初始電壓為 0V，下列何者正確？ › #19 如圖所示之電路，$v_{in}$ 為輸入電壓波形，假設二極體為理想，則其輸出電壓 $v_{out}$ 之波形最有可能為下列何者？ › #20 圖示電路中 $v_I$ 為輸入電壓 $v_o$ 為輸出電壓，本電路為何種電路？ › #21 圖示理想二極體電路中，若輸入 $v_I$ 為峰對峰值 10 V 的方波，在穩態時下列有關輸出 $v_O$ 的敘述，何項正確？ › #22 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓 $V_{D0}=0.7\text{ V}$，已知電壓 $v_s(t)=12 \sin(120\pi t)\text{ V}$… › #23 共源極放大器的頻寬主要由下列那個寄生電容決定？ › #24 如圖所示，射極電阻 $R_E$ 常被用於共射極放大器的設計，其主要目的為何？ › #25 若 PNP 型雙極性電晶體（BJT）偏壓在主動區 $I_B = 0.05\text{mA}$，$I_E = 5\text{mA}$，則電流增益為： › #26 電晶體放大電路及其輸入特性曲線如圖，偏壓電源為 $V_{CC}=10\text{ V}$ 及 $V_{BB}=1.6\text{ V}$，$R_1=1.5\text{ k}\Omega$… › #27 藉由分壓偏壓的電晶體放大電路中（$\beta=49$），流進基極端的電流為 $I = 0.025\text{ mA}$ 時測得輸出交流弦波信號振幅為 0.5 V… › #28 如圖所示的電晶體共射極放大器，輸出交流信號的振幅為 0.6 V，$\beta$ 及 $R_1$、$R_2$ 均變成原來的 1.5 倍，電晶體其他特性維持不變，輸… › #29 若電晶體操作於順向主動區（forward active region），電流增益值$\beta =50$，爾利電壓（Early voltage, $V_A$）=… › #30 圖示電晶體在主動區工作，電晶體的 $\beta = 99$，$V_{BE} = 0.7\text{ V}$，則電晶體的集極電壓 $V_C$ 約為： › #31 在雙極接面電晶體的共射（CE）、共基（CB）、共集（CC）三種組態中，何者之電流增益小於 1？ › #32 如圖為一共源（CS）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導參數為 $g_m$，輸出電阻為 $r_o \to \infty$，則此放大器的電壓增益為何？ › #33 如圖所示為以電阻 $R=5\text{ k}\Omega$、$R_f =7.5\text{ k}\Omega$ 及電感 $L_1 =2\text{ mH}$、$L_2$… › #34 直接耦合串級放大電路於未耦合前第 1 級放大電路的集極偏壓電流為 1 毫安培（1 mA），如圖決定耦合後第 2 級放大電路的電壓增益大小（$v_o/v_{i2}$… › #35 如圖為一方波振盪器。若 OP AMP 輸出的上下限為 $\pm 10\text{ V}$。$R_2 = R_3$、$R_1C_1= 10\text{ ms}$。… › #36 有 N 級放大器，其中每一級的增益 $A_{oN}$ 和頻寬 $\omega_{HN}$ 都完全相同，若該 N 級放大器串接在一起且 N 為有限值；試問其總頻寬… › #37 如圖雙穩態電路，其 $R_1 = 10\text{ k}\Omega$ 且 $R_2 = 16\text{ k}\Omega$，若在 $t = 0$ 時輸出電壓… › #38 圖為一個三級環式振盪器電路，若每一級之小訊號低頻增益 $A = 4$，MOSFET 之轉導 $g_m = 66.67 \mu\text{A/V}$，電容 $C = 4.59\text{ nF}$… › #39 如圖所示放大器，外接電容為 CC1、CC2 和 CS，MOSFET 的寄生電容約為 $C_{gs}$ 和 $C_{gd}$。有關此放大器電路的低頻響應，下列敘述… › #40 在 BJT 電晶體的放大器中，若訊號的擺幅很小，則電晶體的爾利效應（Early effect）可以等效為下列何者？ ›