107年初等考試 — 電子學大意

共 40 題 · 含 AI 詳解

#1 如圖所示為理想運算放大器之電路，$R_1 = 2\text{ k}\Omega$、$R_2 = 10\text{ k}\Omega$、$R_3 = 2\text{ k}\Omega$… › #2 如圖所示符號為下列何種元件？ › #3 下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值… › #4 有一運算放大器如下圖所示，已知其轉移方程式（transfer function）為 $V_3 = 1002 \times V_2 - 998 \times V_1$… › #5 有一以矽材料所製的互補式金氧半場效電晶體（Si-CMOSFET）電路及輸入電壓 $v_I$ 的波形如下所示，$V_{DD} = 5\text{ V}$，假設兩個… › #6 有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 $V_{I1}$、$V_{I2}$ 的電壓波形如下所示，$V_{CC} = 5\text{ V}$，$R_1 = R_2 = 1\text{ k}\Omega$… › #7 二極體順向導通時，下列何者正確？ › #8 如圖中 NPN 雙極性電晶體，$\beta = 100$，電晶體基射極的順偏電壓設為 $0.8\text{ V}$，飽和時的集射極電壓為 $0.3\text{ V}$… › #9 一個 OP AMP 的輸出的上下限為 $\pm 10\text{ V}$，迴轉率（slew rate）為 $1\text{ V}/\mu\text{s}$，單增… › #10 若有一矽二極體在逆向偏壓且在溫度為 $25^\circ\text{C}$ 時，飽和電流（saturation current）$I_o = 2\text{ }\mu\text{A}$… › #11 如圖為雙極性差動式放大器，已知電晶體 $Q_1$ 和 $Q_2$ 的基極內電阻 $r_\pi$、射極內電阻 $r_e$、轉導 $g_m$、共基極電流增益 $\alpha$… › #12 史密特觸發（Schmitt trigger）電路之輸出波形為下列何者？ › #13 一個由理想變壓器及理想二極體等所構成之半波整流器，輸入弦波信號後測得輸出信號之有效值電壓 $V_{o(rms)} = 14.14$ 伏特，則流過負載 $R_L = 2\text{ k}\Omega$… › #14 如圖所示為由齊納（Zener）二極體 $D_1$ 與 $D_2$ 所構成截波電路及其輸入信號 $v_i(t)$，$D_1$ 與 $D_2$ 於順偏時可視為理想，… › #15 如圖所示以電容器 $C_1 \sim C_3$、理想變壓器及理想二極體 $D_1 \sim D_3$ 所構成之倍壓電路，輸入弦波信號且在穩定狀態下電容器 $C_2$… › #16 $v_i(t) = 8\sin(\omega t)$ 伏特通過圖示的理想箝位電路，輸出信號的最大值與最小值分別為 A 與 B，則 A+B 之值為多少？ › #17 如圖所示之電路，假設二極體為理想，求其輸出電壓 $v_{out}$ 之漣波電壓（ripple voltage）值為何？ › #18 如圖所示為此二極體電路之轉移函數，假設二極體皆有開啟電壓 $V_{D,on}$，當電路操作於區域 II 時，$D_1$ 與 $D_2$ 的狀態分別為何？ › #19 在整流電容濾波器中，若負載不變時，濾波電容量愈大，則輸出端的漣波電壓為下列何者？ › #20 如圖所示整流電路，$D_1$ 耐壓至少為多少？ › #21 如圖所示二極體電路，若所有二極體為理想二極體，則電路中電流 I 為多少？ › #22 對於半波整流電路，若 AC 電源頻率為 $60\text{ Hz}$，則其經整流後之漣波頻率為下列何者？ › #23 如圖所示電路，若 $V_{CC} = 12\text{ V}$，$V_{CE} = 12\text{ V}$，則此電晶體的工作區為何？ › #24 如圖所示之電路，其中電晶體之爾利（Early）電壓 $V_A$ 皆為 $\infty$，求此電路之小信號輸出阻抗值為何？ › #25 如圖所示之放大器電路，電晶體 $M_1$ 之參數如下：$V_{th1} = 0.4\text{ V}$，$\mu_{n1} C_{ox} = 200\text{ }\mu\text{A/V}^2$… › #26 如圖所示之電路，其中電晶體之參數為 $\beta = 120$，$V_T = 26\text{ mV}$，$V_{BE(on)} = 0.7\text{ V}$… › #27 如圖所示之電路，假定 $\beta = 100$ 且 $V_{BE(on)} = 0.7\text{ V}$，若電晶體之直流工作點 $V_{CEQ} = 5\text{ V}$… › #28 如圖所示之共射極放大器，$I_C = 1\text{ mA}$ 且 $V_{BE} = 0.8\text{ V}$。假設電晶體於飽和時之 $V_{CE(sat)} = 0.3\text{ V}$… › #29 請問下列何種電路架構為反相放大器？ › #30 如圖所示為一 MOSFET 疊接（cascode）放大器，下列何者不是此架構的特性？ › #31 若 PNP 型雙極性電晶體（BJT）之 $I_B = 0.1\text{ mA}$，$I_E = 6\text{ mA}$，且 $\beta = 99$，則： › #32 如圖所示之偏壓電路，調整可變電阻 $V_R$ 的大小使下列何者為 $0$ 時，可測得 JFET 之夾止電壓（$V_P$）？ › #33 如圖所示為史密特觸發電路及其輸入-輸出轉移特性曲線，其中 OPA 為理想，若 $R_2$ 為 $3\text{ k}\Omega$，則 $R_1$ 的電阻值約為… › #34 如圖所示電路為由理想 OPA 構成的雙穩態振盪器，輸入 $v_I$ 為 $-5$ 及 $1$ 伏特時都無法改變輸出 $v_O$ 的原始儲存值（無論是 $+12$… › #35 如圖所示韋恩電橋振盪器（Wien-bridge oscillator），其所產生的波形為下列何者？ › #36 如圖所示為一哈特萊（Hartley）振盪器，其電晶體的偏壓部分並未畫出，$L_1 = 40\text{ }\mu\text{H}$，$L_2 = 10\text{ }\mu\text{H}$… › #37 如圖所示為一直 接耦合的串級放大器，兩個電晶體的 $\beta = 100$，NPN 電晶體的 $V_{BE,active}$ 與 PNP 電晶體的 $V_{EB,active}$… › #38 如圖所示為韋恩電橋振盪器（Wien-bridge oscillator），已知 $R = 10\text{ k}\Omega$，$C = 16\text{ nF}$… › #39 試問電容器上的電壓由某一負臨界電壓（threshold voltage）轉換到下一個正臨界電壓約需花多少時間？ › #40 承上題，試問振盪頻率 $f_o$ 為多少？ ›