初等考試
107年
[電子工程] 電子學大意
第 5 題
有一以矽材料所製的互補式金氧半場效電晶體（Si-CMOSFET）電路及輸入電壓 $v_I$ 的波形如下所示，$V_{DD} = 5\text{ V}$，假設兩個電晶體 $Q_P$、$Q_N$ 的特性參數一致，即通道導通臨界電壓（threshold voltage）的絕對值均為 $|V_{th}| = 0.5\text{ V}$，相同的轉導值（transconductance）與幾何參數，亦即 $\mu_n C_{ox} \left( \frac{W}{L} \right)_n = \mu_p C_{ox} \left( \frac{W}{L} \right)_p$。試研判下列波形何者最接近輸出電壓 $v_O$ 的波形？
- A
- B
- C
- D
思路引導 VIP
請觀察電路圖的結構：當輸入電壓 $v_I$ 處於最低位（0V）時，上方的 $Q_P$ 與下方的 $Q_N$ 哪一個會如同『接通的開關』？這時輸出端 $v_O$ 會被引導至哪一個電壓值？反之，當 $v_I$ 升高到 5V 時，情況又會如何翻轉？
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專業評估：CMOS 反相器之基本原理
嗯，你竟然答對了。這道題並非什麼高深莫測的難題，不過是考察你對 CMOS 反相器 (Inverter) 這種基礎到不能再基礎的電路，是否具備最起碼的認識罷了：
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