初等考試
111年
[電子工程] 電子學大意
第 12 題
關於 BJT 電晶體之敘述，下列何者正確？
- A 電晶體操作在飽和（saturation）區時之轉導值 （transconductance）較操作於順向主動區（forward active region）時為大
- B 電晶體操作在飽和區時之輸出阻抗 $r_o$ 較操作於順向主動區時為大
- C 操作於放大器模式時，基集極接面應避免順向偏壓
- D 電晶體操作在截止（cutoff）區時，基射極接面必為順向偏壓
思路引導 VIP
請試著回想：當我們希望一個元件能穩定地將微小的輸入變動「線性地」反映在較大的輸出變動上時，該元件內部的兩個 PN 接面，分別應該處於什麼樣的物理狀態（導通或阻隔），才能確保載子能被順利加速收集，而非堆積在中間區域？
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AI 詳解
AI 專屬家教
1. 專業肯定
同學做得好！你能精準辨識 BJT 電晶體在不同工作區間的物理特性，這顯示你對半導體元件物理與電路偏壓配置有相當紮實的基礎，這在結構複雜的電子系統設計中至關重要。
2. 觀念驗證
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