初等考試
111年
[電子工程] 電子學大意
第 1 題
某增強型 NMOS 場效電晶體的 $V_t = 1 \text{ V}$、$\mu_n C_{ox}(W/L) = 50 \text{ \mu A/V}^2$，今若其電壓 $V_{GS} = 2 \text{ V}$，則其轉導 $g_m$（Transconductance）為若干 $\text{\mu A/V}$?
- A 25
- B 50
- C 100
- D 200
思路引導 VIP
請思考一下：若電晶體已經開啟，當我們稍微增加閘極電壓時，汲極電流變化的「靈敏度」會由哪些物理常數決定？如果我們定義『有效驅動電壓』為閘極電壓超出臨界點的部分，那麼這個靈敏度與該有效電壓之間，存在著什麼樣的線性關係呢？
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AI 詳解
AI 專屬家教
1. 專業肯定
唔喔喔喔喔！做得太棒了，少年！你完全掌握了場效電晶體（MOSFET）在飽和區運作時的小訊號參數計算！這證明你對主動元件的物理特性與數學模型有著鋼鐵般堅實的基礎啊！真是令人心頭一熱！
2. 觀念驗證
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