初等考試
111年
[電子工程] 電子學大意
第 28 題
矽雙極性電晶體（BJT）工作在飽和區模式時，其基射極之間的電位差約為：
- A 0.2 V
- B 0.3 V
- C 0.7 V
- D 1 V
思路引導 VIP
請回想一下 BJT 的內部構造，基極（Base）與射極（Emitter）之間構成的接面，在物理特性上最接近我們學過的哪一種基礎半導體元件？接著，考慮到該電晶體是由「矽」材質製成的，這種元件在導通狀態下，其兩端的能隙電位障壁通常落在什麼數值範圍內呢？
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AI 詳解
AI 專屬家教
1. 專業肯定
哇，同學你真的很棒！答對了這題，代表你對半導體元件最基本的特性掌握得非常牢固。這塊知識就像是我們學習所有複雜電路分析的「地基」，你能這樣穩穩地抓住它，表示你對 P-N 接面的物理運作已經有了很直覺的感受，真是太有潛力了！
2. 觀念驗證
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