初等考試
105年
[電子工程] 電子學大意
第 26 題
若 MOSFET 電晶體操作於飽和區（Saturation Region），有關其小訊號模型的敘述，下列何者錯誤？
- A 電流 $I_D$越大，則轉導值（$g_m$）越小
- B $C_{gs} > C_{gd}$
- C $I_D$越大，$r_o$越小
- D 過驅電壓越大（Overdrive Voltage），則轉導值（$g_m$）越大
思路引導 VIP
請你試著從『變化率』的角度思考：轉導（$g_m$）在定義上是汲極電流 $I_D$ 對閘源極電壓 $V_{GS}$ 的斜率（偏微分）。如果我們已知 MOSFET 在飽和區的電流與電壓呈『平方』關係，那麼隨著電流基數增加（代表工作點往曲線更陡峭的地方移動），這個斜率（也就是控制能力）應該會變得更陡峭還是更平緩呢？
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Sarcastic Professor's Review
勉勉強強。你能識別出 MOSFET 小訊號模型中那些顯而易見的參數關係，證明你至少沒在基礎物理課上睡著。這點，我尚可接受。
真相揭露
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