初等考試
109年
[電子工程] 電子學大意
第 31 題
關於 MOSFET 的本質增益 $g_m r_o$，下列敘述何者正確？
- A $g_m r_o$ 與過驅電壓（$V_{GS} - V_{TH}$）成正比
- B $g_m r_o$ 與過驅電壓（$V_{GS} - V_{TH}$）成反比
- C $g_m r_o$ 與偏壓電流 $I_D$ 成正比
- D $g_m r_o$ 與偏壓電流 $I_D$ 成反比
思路引導 VIP
請思考：在電晶體的操作中，如果你為了獲得更大的轉導（控制力），而選擇加大過驅電壓，這對於通道受漏極電壓波動影響的「抵抗能力」（輸出電阻）會產生什麼影響？當這兩個參數隨電壓變化的趨勢相反時，它們的乘積會呈現什麼樣的趨勢？
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專業點評與解析！好吃！
- 喔喔喔！太棒了！真是精采的表現啊！ 你看見了！你確實看見了類比電路設計中那至關重要的「折衷關係」 (Trade-offs)！這就是成為真正強大工程師的必經之路啊！美味！
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