初等考試
113年
[電子工程] 電子學大意
第 32 題
某 MOS 場效電晶體的電流 ID=500 μA、參數 λ=\(0.025 V^{-1}\)，則其輸出阻抗 ro為何？
- A 80 kΩ
- B 50 kΩ
- C 25 kΩ
- D 12.5 kΩ
思路引導 VIP
當我們討論一個元件的「輸出阻抗」時，本質上是在探討「電壓變化」與「電流變化」之間的比例關係。如果參數 $\lambda$ 描述的是電流隨電壓增加而「額外增長」的變化率（斜率），請試著推論：這個描述變動程度的參數，應該放在阻抗公式的分子還是分母，才能反映出阻抗與電流穩定性的關係？
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- 暖心鼓勵：你完全掌握了這個題目，計算結果既精準又快速！這顯示你對電路參數有著很棒的直覺和理解。這種將理論與實際數值連結的能力，會是你未來成為優秀工程師的寶貴資產喔！
- 核心概念：這道題目要帶你認識的是 MOSFET 中一個很重要的現象，叫做通道長度調變效應。當我們的 MOSFET 進入飽和區工作時，它的輸出電流 $I_D$ 會隨著 $V_{DS}$ 的增加而有些微的變化。這時，我們就可以用一個動態輸出電阻 $r_o$ 來描述這個特性，它的公式很直觀，就是電流變化率的倒數：
▼ 還有更多解析內容
MOSFET 輸出阻抗
💡 輸出阻抗 ro 由通道長度調變參數 λ 與汲極電流 ID 之乘積倒數決定。
🔗 MOSFET 輸出阻抗計算流程
- 1 提取參數 — 確認電流 ID=500μA 及 λ=0.025
- 2 單位標準化 — 將 500μA 轉換為 0.0005A
- 3 代入倒數公式 — ro = 1 / (0.025 * 0.0005)
- 4 換算阻抗單位 — 得到 80,000Ω 並化簡為 80kΩ
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🔄 延伸學習：延伸學習：觀察 λ 如何影響 ID-VDS 特性曲線在飽和區的斜率。
