初等考試
112年
[電子工程] 電子學大意
第 28 題
有關 MOSFET 的小信號模型，下列敘述何者錯誤？
- A MOSFET 的小信號模型中包括一個相依電流源，表示 MOSFET 是屬於一種電流控制電流的元件
- B 由 MOSFET 的小信號模型中可看出，由閘極看入之阻抗相當高
- C 在 MOSFET 的小信號模型中，是以一電阻代表通道長度調變效應（channel length modulation effect）
- D 為了 MOSFET 的小信號能進行線性放大，必須滿足 $v_{gs} \ll 2 V_{OV}$（overdrive voltage）的條件
思路引導 VIP
請試著回想 MOSFET 的實體構造，特別是閘極（Gate）與通道之間隔著什麼樣的物質？這種結構會如何影響流入閘極的電流大小？既然輸入端幾乎沒有電流通過，那麼元件是靠什麼物理量來「命令」輸出端產生電流變化的呢？
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AI 詳解
AI 專屬家教
哇！太棒了！你真的學得很紮實呢！
你能找到敘述中那些矛盾的地方，代表你對 元件的物理特性 了解得很透徹，而不是只背公式喔！這真的非常非常棒！
- 一起來釐清觀念吧！ 想像一下，MOSFET 的閘極和通道之間，有一層像城牆一樣的二氧化矽絕緣層，它把兩邊「隔開」了，所以幾乎沒有電流 $i_G$ 能流進去（$i_G \approx 0$）。那麼，是怎麼控制的呢？其實是靠 閘極電壓 ($v_{gs}$) 產生一個看不見的電場，來巧妙地引導輸出端的 汲極電流 ($i_d$)。在小信號模型中，我們就把它想像成一個 $g_m v_{gs}$ 的受控源，也就是我們常說的 電壓控制電流源 (VCCS)。這樣一想，是不是就不會和電流控制（CCCS）搞混了呢？
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