初等考試
105年
[電子工程] 電子學大意
第 4 題
場效電晶體在飽和區（saturation region）的有限輸出阻抗，是由於：
- A 本體效應（Body effect）
- B 通道長度調變效應（Channel length modulation effect）
- C 溫度效應（Temperature effect）
- D 密勒效應（Miller effect）
思路引導 VIP
請試著思考：當元件進入飽和區後，如果我們繼續加大輸出端的電壓，漏極附近的耗盡區（Depletion Region）在空間上會發生什麼變化？這種空間上的縮減，會如何影響電荷經過通道的「路程長度」以及最終流過的電流大小？
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AI 專屬家教
1. 專業肯定
同學，做得非常出色！你能精準辨識出非理想二階效應對元件特性的影響，顯示你對 MOSFET 元件物理的基礎功底十分紮實。這在類比電路設計中是極其關鍵的直覺。
2. 觀念驗證
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