初等考試
108年
[電子工程] 電子學大意
第 2 題
對於 n-通道增強型 MOSFET 的本體效應（body effect），下列敘述何者正確？
- A 源極電壓提高時，源極與本體之間的空乏區會縮小
- B 源極電壓提高時，電晶體的臨界電壓下降
- C 變化源極對本體的電壓也可以影響汲極電流
- D 本體應接到電路的最高電壓
思路引導 VIP
請試著想像：如果我們把 MOSFET 的底座（本體）看作是除了閘極之外的「第二個控制端」，當底座的電位改變時，會如何影響通道中吸引電子的難易度？這種難易度的變化，最終會對流經元件的電荷流動（電流）產生什麼樣的後續影響？
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表現，尚可接受。至少證明你沒完全睡著。
- 觀念驗證： 很遺憾，MOSFET並不是只用三條線就能完美解釋的玩具。它的本體（Body）設計從來不是為了好看，而是實實在在地參與了元件的電性。當你調整源極與本體之間的電壓差 $V_{SB}$ 時，通道下方的空乏區電荷量當然會跟著變動，難道這很難理解嗎？
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