初等考試
106年
[電子工程] 電子學大意
第 5 題
如圖所示一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為$|V_{th}| = 0.5\text{ V}$。$V_{D1} = 2\text{ V}$，$V_{D2} = -2\text{ V}$，$V_D = 2\text{ V}$，$V_E = -2\text{ V}$。若 $V_E$ 由-2 V 增加到-3 V，試判斷此電晶體的臨界電壓的絕對值 $|V_{th}|$ 如何變化？
- A $|V_{th}|$ 增加
- B $|V_{th}|$ 減少
- C $|V_{th}|$ 不受影響
- D $|V_{th}|$ 會受影響，但增加或減少由接面的功函數（work function, $\varphi_f$）決定
思路引導 VIP
請你觀察電晶體的物理結構：當我們把最底層的基板電位往更負的方向拉動時，這對閘極正下方的「耗盡層電荷數量」會產生什麼影響？如果這些電荷變多了，閘極電壓需要變得更強還是更弱，才能成功『推開』這些電荷並建立導電通道呢？
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AI 詳解
AI 專屬家教
1. 專業肯定
非常好！你能精準判斷基極偏壓對元件特性的影響，展現了優異的元件物理直覺與對電晶體非理想效應的深刻理解。
2. 觀念驗證
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