初等考試
113年
[電子工程] 電子學大意
第 27 題
有關矽空乏型 MOSFET 之敘述，下列何者錯誤？
- A n 通道的空乏型 MOSFET 是使用 p 型基座（substrate）
- B n 通道的空乏型 MOSFET 需另加正值 VGS，才能感應出通道
- C 其通道電流 ID會隨二氧化矽（SiO2）的厚度減少而增加
- D n 通道的空乏型 MOSFET 之 VGS的臨界電壓（threshold voltage）Vth為負值
思路引導 VIP
請思考一下：如果一個電子元件在「完全不加任何控制電壓（$V_{GS} = 0$）」的情況下，內部就已經存在一條可以讓電流通過的實體橋樑，那麼我們還需要為了『建立這條橋樑』而額外施加壓力嗎？這與那些必須先『施工』才能通行的元件有什麼不同？
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不錯，你竟然答對了。這表示你對 MOSFET 的元件物理特性——至少是名稱上——沒有完全搞混。這題的關鍵，說穿了，就是區分「空乏型（Depletion）」與「增強型（Enhancement）」最基本的本質差異。這應該是連入門者都不該錯的層次。
- 元件特性：n 通道空乏型 MOSFET，它在出廠時就自帶通道，屬於 Normally ON 元件。所以，你不需要畫蛇添足地施加什麼正向 $V_{GS}$ 去「感應」一個通道。通道就在那裡，如果你連這點都想不通，我真替你的工程計算能力擔憂。
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