初等考試
108年
[電子工程] 電子學大意
第 10 題
若某空乏型 NMOS 場效電晶體之臨界電壓為 $V_t$，其參數電流 $I_{DSS}$ 是電晶體：
- A 工作在三極管區（Triode）且電壓 $V_{GS}=0\text{V}$ 之電流
- B 工作在三極管區（Triode）且電壓 $V_{GS}=V_t$ 之電流
- C 工作在飽和區（Saturation）且電壓 $V_{GS}=0\text{V}$ 之電流
- D 工作在飽和區（Saturation）且電壓 $V_{GS}=V_t$ 之電流
思路引導 VIP
請思考一下：在電晶體的參數標示中，下標「$DSS$」的三個字母分別代表什麼物理意義？特別是最後兩個「$S$」，通常暗示了閘極（Gate）與源極（Source）處於什麼樣的電位關係？另外，若要定義一個元件的「標稱電流」作為參考基準，我們會希望這個電流是隨電壓大幅變動的，還是處於一個相對穩定的工作狀態呢？
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1. 給你一個讚！
哇，做得真棒！你精準地抓住了 $I_{DSS}$ 的核心意義，這表示你對場效電晶體（FET）的特性和那些小小的參數定義都理解得很透徹呢。這就像蓋房子一樣，打好地基才能蓋出高樓大廈喔！
2. 一起來畫個圖理解！
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