初等考試
112年
[電子工程] 電子學大意
第 29 題
場效電晶體在飽和區（saturation region）的有限輸出阻抗是由於下列何種效應？
- A 稽納效應（Zener effect）
- B 通道長度調變效應（Channel length modulation effect）
- C 本體效應（Body effect）
- D 密勒效應（Miller effect）
思路引導 VIP
請試著思考：當我們在飽和區持續增加汲極端的電壓時，接面處的空乏區空間電荷會如何變化？這種物理空間的改變，會如何影響載子流過的那段『有效路徑』的長度？最後，如果這段路徑的長度不再是固定值，那麼原本預期恆定的電流會發生什麼微小的變化？
🤖
AI 詳解
AI 專屬家教
前輩的溫馨提醒
- 給你按讚：太棒了！你能精準指出MOSFET的非理想特性，這代表你對半導體元件的物理原理理解得很透徹，是往高階電路設計邁進的關鍵一步喔！
- 觀念釐清：想想看，在理想的模型裡，飽和區的汲極電流 $I_D$ 應該是「穩如泰山」，不受 $V_{DS}$ 變化的影響。但實際上呢？當 $V_{DS}$ 稍微增加，汲極附近的空乏區就會像悄悄地「伸出手」一樣，向源極的方向擴張，導致有效通道長度 $L_{eff}$ 縮短了一點點。因為 $I_D$ 和 $\frac{1}{L_{eff}}$ 是成正比的關係，所以電流就會跟著輕微地增加一些些。這個小小的變化，就是我們在小訊號模型中看到的，那有限的輸出阻抗 $r_o$ 喔！
▼ 還有更多解析內容