高考申論題
105年
[電子工程] 半導體工程
第 四 題
請敘述雙極性接面電晶體（BJT）擁有電流放大能力之主因。（15 分）
📝 此題為申論題
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面對 BJT 電流放大的考題，應直指元件設計的兩大核心：「射極重摻雜」與「基極極薄且輕摻雜」。作答時建議從少數載子傳輸的觀點出發，分別寫出「射極注入效率（$\gamma$）」與「基極傳輸因數（$\alpha_T$）」的物理意義與近似公式，最後推導出共射極電流增益（$\beta$）遠大於 1 的結論。
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【破題】 雙極性接面電晶體（BJT）具備電流放大能力之核心主因，在於其「不對稱的摻雜濃度」與「極薄的基極寬度」設計，使得微小的基極輸入電流（$I_B$）能以勢壘控制的方式，引發並操縱龐大的集極輸出電流（$I_C$）。 【論述】
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