105年高考申論題 — 半導體工程

共 9 題 · 含 AI 詳解

第一題 若有一 n 型半導體其熱平衡下之能帶圖（局部）如圖 1 所示，其長度為 L，n(x = 0) = n₀。 ㈠求電位差ΔV (=V(L) -V(0))、電場強度分… 2 小題 › 第二題 若有一理想 n 型矽半導體與一理想矽 pn 接面二極體，其元件結構如圖 2 所示。（每小題 10 分，共 20 分） ㈠請繪出此兩個元件於照光（光能量>矽能隙寬… 2 小題 › 第三題 一理想金氧半場效電晶體（MOSFET），臨界電壓Vth = 1 V，介電層（SiO2）厚度 10 nm，SiO2介電係數3.9ε₀ ， ε₀ = 8.854×1… 2 小題 › 第四題 請敘述雙極性接面電晶體（BJT）擁有電流放大能力之主因。（15 分） › 第五題 若以 SiO2 為遮罩材料（開口尺寸為3 μm× 3 μm）並採用 KOH 溶液分別蝕刻（100）與（110）晶面矽基板。 ㈠請繪出蝕刻深度為 0.707 μm… 2 小題 ›