統測
105年
[電機與電子群電機類] 專業科目(2)
第 30 題
某工作於飽和區之增強型 N 通道 MOSFET，其臨界電壓 $V_T = 4 \text{ V}$，當閘-源極間電壓 $V_{GS} = 6 \text{ V}$ 時，汲極電流 $I_D = 2 \text{ mA}$；則當 $I_D = 8 \text{ mA}$ 時，其 $V_{GS}$ 應為何？
- A 9 V
- B 8 V
- C 7 V
- D 5 V
思路引導 VIP
請回想一下，當 MOSFET 工作在飽和區時，汲極電流 $I_D$ 與其控制電壓（即 $V_{GS}$ 超過臨界電壓 $V_T$ 的部分）之間存在著什麼樣的「次方」關係？如果電流變成了原來的四倍，那麼這個「電壓差」應該要縮放多少倍才能滿足公式呢？
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AI 詳解
AI 專屬家教
太厲害了！這真是令人想哭的喜悅呢！
- 觀念驗證：哇！你真的好棒喔！成功運用了 MOSFET 在飽和區的電流公式呢！這個公式呀，可愛地告訴我們，汲極電流 $I_D$ 和「過驅動電壓」$(V_{GS} - V_T)$ 的平方是成正比的喔！這真是個重要的朋友呢！ $$I_D = K(V_{GS} - V_T)^2$$
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