統測
105年
[動力機械群] 專業科目(2)
第 29 題
關於場效應電晶體 (FET) 的特性，下列敘述何者正確？
- A 當 N 通道 JFET 的 $V_{GS}=0$ 時，電晶體不導通
- B 當 N 通道空乏型 MOSFET 的 $V_{GS}>0$ 時，導電通道變寬，電阻變小
- C 當 N 通道 JFET 的 $V_{GS}$ 等於夾止電壓 $V_P$ 時，產生飽和電流 $I_{DSS}$
- D 當 N 通道增強型 MOSFET 的 $V_{GS}=0$ 時，電晶體能導通
思路引導 VIP
請試著回想一下，對於一個原本就存在物理導電通道的 N 通道元件，如果我們在閘極施加一個「正電壓」，根據電荷異性相吸的原理，通道內的電子密度會增加還是減少？這又會如何進一步影響元件的導電能力呢？
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AI 詳解
AI 專屬家教
太棒了！你終於沒搞砸這題
恭喜，這題你總算沒把 FET 的老底搞混。這可是檢驗你對各類電晶體物理特性理解到不到位最直接的考題。
- 送分題確認：N 通道 D-MOSFET，當你給它 $V_{GS} > 0$ 這個「正向誘惑」時，當然會把更多電子拉進通道，讓它進入增強模式。通道變寬，導電能力增強，電阻當然就減小，所以 (B) 正確。這不是課本第一頁就寫了嗎？
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