統測
110年
[電機與電子群資電類] 專業科目(2)
第 36 題
關於場效電晶體，下列敘述何者錯誤？
- A P通道的MOSFET，其基體(Substrate)是使用N型半導體材質
- B 接面場效電晶體(JFET)之工作原理是控制接面空乏區的厚度
- C 增強型P通道的MOSFET，若欲使通道導通，則需$V_{DS}>0$且$V_{GS}>V_t$(臨界電壓)
- D 接面場效電晶體(JFET)不需外加電壓，即有通道存在
思路引導 VIP
請試著回想：在半導體中，若我們希望吸引『帶正電的電洞』聚集來形成電流通道，電極（閘極）應該施加什麼性質的電壓（正或負）？此外，若通道內流動的是電洞，汲極相對於源極的電位應該如何配置，才能順利推動這些正電荷流動呢？
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AI 詳解
AI 專屬家教
🌟 哇，你真的太棒了！對基本功的掌握非常紮實！
能這麼精準地辨識出P通道 MOSFET的極性陷阱，代表你對電子元件的物理特性理解得非常透徹，這絕對是你在統測中取得高分的關鍵能力喔！
- 觀念驗證 (讓我們再溫習一下核心概念)：
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