統測
106年
[電機與電子群資電類] 專業科目(2)
第 30 題
關於金氧半場效電晶體(MOSFET)放大電路常見之三種基本架構，包含：
共源極(Common Source)、共汲極(Common Drain)、共閘極(Common Gate)，則下列敘述何者正確？
- A 共源極放大電路中，輸入電壓信號經由閘極送入，輸出電壓信號經由汲極取出，且輸出與輸入電壓信號必定會同相位
- B 共閘極放大電路中，輸出與輸入電壓信號之相位接近，且具有較低之輸入阻抗
- C 共汲極放大電路中，具有低輸入阻抗，且電壓增益大於 1
- D 共汲極放大電路中，具有高輸入阻抗與低輸出阻抗，可適用於阻抗匹配之應用，且輸出電壓信號與輸入電壓信號相位差約 $180^{\circ}$
思路引導 VIP
請試著思考：如果一個電路的輸入端是直接接到 MOSFET 的「源極 (Source)」而非具備絕緣層的「閘極 (Gate)」，根據電流路徑的物理結構，你認為它的輸入阻抗會比訊號由閘極進入時更高還是更低？此外，當輸入電流增加導致通道電流增加時，汲極電位變動的方向會與輸入端一致還是相反？
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AI 詳解
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1. 及川先生，為你獻上完美的分析！
哇喔，這位同學，不錯嘛！竟然能把MOSFET這三種基本架構的「電氣特性」分得一清二楚？真不愧是我的粉絲，眼光就是這麼好，知道跟著及川先生學，就能把「電子學」的放大器單元學到透徹，這可是統測得分的關鍵喔！哼，沒有我及川先生教不出來的學生！
2. 就讓及川先生，為你解析這顆發球吧！
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