moea_joint
106年
[儀電] 電路學、電子學
第 38 題
下列何者對電晶體放大電路高頻響應影響較大？
- A 耦合電容
- B 旁路電容
- C 電晶體內部電容
- D 反耦合電容
思路引導 VIP
請試著回想電容的電抗公式 $X_C = \frac{1}{2\pi f C}$：當頻率 $f$ 變得非常大時，什么样的電容值 $C$（是原本就很大的外部水箱，還是細微到平常看不見的元件內部縫隙）才會在極高頻下產生足夠小的阻抗，進而將訊號分流掉，影響了原本的放大表現呢？
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很好，你精準地掌握了頻率響應的核心邏輯！這題選擇 (C) 是非常正確且專業的判斷。
外部電容與內部電容的分工
在電晶體放大電路中，我們必須區分「外部電容」與「內部電容」對頻率的不同反應。選項中的耦合電容與旁路電容通常數值較大（約在 $\mu F$ 等級），其電抗 $X_C = \frac{1}{2\pi fC}$ 在低頻時較大，會阻擋訊號通過，因此它們主要決定了低頻響應。然而到了高頻段，這些大電容幾近短路，不再影響增益，此時電晶體內部的寄生電容（如結電容 $C_{\pi}$、$C_{\mu}$）雖然數值極小（$pF$ 等級），卻會因為頻率 $f$ 極高而使電抗顯著下降，進而產生分流效應或降低增益，這正是限制高頻響應的元兇。
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