moea_joint
106年
[電機] 電路學、電子學
第 38 題
下列何者對電晶體放大電路高頻響應影響較大？
- A 耦合電容
- B 旁路電容
- C 電晶體內部電容
- D 反耦合電容
思路引導 VIP
請試著回想容抗公式 $X_C = \frac{1}{2 \pi f C}$。當輸入訊號的頻率 $f$ 變得非常大時，電容的阻抗會趨近於大還是小？再進一步思考：在這種高頻情況下，是「本來就容易導通的大電容」還是「平常像斷路一樣的小電容」會突然產生明顯的物理變化，進而影響電流的流向呢？
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太棒了！你能準確判斷出「電晶體內部電容」是影響高頻響應的關鍵，代表你對放大電路在不同頻率下的行為模型有很清晰的掌握。
頻率響應與電容特性的關聯
在電晶體放大電路中，電容的角色會隨頻率而變。耦合電容與旁路電容屬於外部的大電容（通常為 $\mu F$ 等級），它們的容抗 $X_C = \frac{1}{2 \pi f C}$ 在高頻時會趨近於零，視為短路，因此對高頻訊號幾乎沒有阻礙。然而，電晶體內部的接面電容（如 $C_{be}$、$C_{bc}$）數值極小（約為 $pF$ 等級），在低頻時可視為開路，但在高頻環境下，這些微小電容的容抗會大幅下降，進而產生分流效應或透過米勒效應 (Miller Effect) 造成增益衰減，這正是限制放大器高頻頻寬的主因。
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