高考申論題
108年
[電力工程] 電子學
第 五 題
圖五為單一電晶體 DRAM（one-transistor DRAM）單元（cell），請說明此單元在讀取 0、1 資料的工作原理（假設 Bit line capactiance 為 CB）？（20 分）
📝 此題為申論題
思路引導 VIP
看到 DRAM 讀取原理，首先必須想到「電荷分享（Charge Sharing）」機制。解題時應依序寫出：(1) 位元線預充（Precharge）設定、(2) 利用電荷守恆定律計算讀取 1 與 0 時位元線的電壓變化量 ΔV、(3) 感測放大器（Sense Amplifier）的判讀，最後務必強調 DRAM 是「破壞性讀取」，所以讀取後必須包含「寫回（Restore）」的動作，這樣才能拿到滿分。
🤖
AI 詳解
AI 專屬家教
【破題】 單一電晶體（1T1C）DRAM 單元由一個 NMOS 存取電晶體（Q）與一個儲存電容（Cs）組成。其讀取機制是基於儲存電容 Cs 與位元線寄生電容 CB 之間的「電荷分享（Charge Sharing）」，藉由感測位元線（Bit line）上的微小電壓變化來判別資料為 0 或 1。 【解析】
▼ 還有更多解析內容