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調查局三等申論題 108年 [電子科學組] 電子學與電路學

第 一 題

📖 題組:
三、下圖電路之放大器為理想運算放大器: (一)試寫出 M1 電晶體汲極電流(drain current)與閘極對源極電壓(gate-source voltage)之關係式?(5 分) (二)試推導下圖電路中 Vout 與 Vin 之關係式?(10 分) (三)說明此運算放大器電路可執行之數學運算?(10 分)
題組圖片
📝 此題為申論題,共 3 小題

小題 (一)

試寫出 M1 電晶體汲極電流(drain current)與閘極對源極電壓(gate-source voltage)之關係式?(5 分)

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首先透過符號確認 M1 為 NMOS,接著利用理想運算放大器的「虛短路」特性求出 M1 的汲極電壓。計算閘極與汲極的跨壓 $V_{GD}$ 後,判斷出 M1 必然操作在「飽和區」,最後寫出對應的平方律電流方程式即可。

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【解題思路】利用運算放大器虛短路特性判斷 MOSFET 汲極與閘極電壓,判定其工作區域後寫出對應的電流方程式。 【詳解】 已知條件整理:

小題 (二)

試推導下圖電路中 Vout 與 Vin 之關係式?(10 分)

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看到包含理想運算放大器與 MOSFET 的電路,第一步先利用「虛短路」原則確認 OP Amp 負輸入端節點的電位。接著運用 KCL 列出流經電阻與 MOSFET 汲極的電流關係,最後判斷 MOSFET 的工作區域(必為飽和區),代入對應的電流-電壓公式,即可推導出輸入與輸出的數學關係式。

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【解題思路】利用理想運算放大器的虛短路特性與節點電壓法(KCL),結合 NMOS 飽和區電流公式進行代數推導。 【詳解】 已知:

小題 (三)

說明此運算放大器電路可執行之數學運算?(10 分)

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從前一子題推導出的輸出入電壓關係式出發,觀察 Vout 隨 Vin 變化的數學函數型態。藉由辨識出方程式中包含 Vin 平方根的項,即可判斷該電路實現了何種非線性數學運算,同時建議點出輸入信號的極性限制。

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【解題思路】根據前題所推導的轉移函數(Transfer Function),觀察輸出與輸入電壓的數學對應關係。 【詳解】 已知:由前述子題推導可知,在運算放大器虛接地($V_X = 0\text{V}$)且 MOSFET 處於飽和區的條件下,電路的轉移關係式為:

📝 MOSFET 運算放大器
💡 利用虛短路判定 MOSFET 工作區並推導電流關係式

🔗 OPA-MOSFET 電路推導流程

  1. 1 虛短路原理 — 判定反相端 $V_X = 0V$
  2. 2 判定工作區 — 確認 $V_{GD} < V_{th}$ 進入飽和區
  3. 3 KCL 電流平衡 — 令 $I_{R1} = I_D$ 建立方程式
  4. 4 求解 Vout — 將 $V_{GS}$ 代換為 $V_{out}$ 之關係
🔄 延伸學習:延伸學習:若 M1 換成 BJT,則此電路將轉變為對數放大器。
🧠 記憶技巧:一虛、二判、三公式:先看虛短路、再判工作區、最後套用飽和電流式。
⚠️ 常見陷阱:容易忽略 $V_{GD} < V_{th}$ 的飽和條件判定,直接套公式可能導致申論論述不嚴謹。
對數放大器 MOSFET 飽和條件判定 虛短路與虛接地 平方根運算電路

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