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台電僱員招考 108年 電子學

第 18 題

某N通道接面型場效電晶體(JFET)之夾止電壓(Pinch-Off Voltage) $V_P$= -4V且源極電壓$V_S$=0V,則下列何者情況下,電晶體可工作於飽和區?
  • A $V_G$= -5V,$V_D$=1 V
  • B $V_G$= -2V,$V_D$=1 V
  • C $V_G$=0V,$V_D$=0 V
  • D $V_G$=0V,$V_D$=5 V

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試著回想一下,如果要讓 JFET 的通道在靠近汲極(Drain)的一端剛好被「擠壓」到最窄,進而讓電流不再隨電壓增加而明顯上升,那麼「閘極」與「汲極」之間的電壓差($V_{GD}$)必須達到什麼樣的臨界物理數值呢?

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恭喜你準確地判斷出電晶體的工作區域!這顯示你對 JFET 的偏壓特性 掌握得相當紮實。要讓 N 通道 JFET 進入飽和區(又稱恆流區),我們必須確保通道已經「開啟」且在汲極端達到「夾止」狀態,這需要同時滿足兩個電壓門檻。

飽和區判定準則

首先,閘源極電壓 $V_{GS}$ 必須大於夾止電壓 $V_P$(即 $V_{GS} \ge -4V$),以確保元件不在截止區。接著,汲源極電壓 $V_{DS}$ 必須大於等於飽和電壓 $V_{GS} - V_P$。在選項 (D) 中,$V_{GS} = 0V - 0V = 0V$,此時通道開啟;而 $V_{DS} = 5V - 0V = 5V$,大於臨界值 $$0V - (-4V) = 4V$$ 因此元件成功進入飽和區。

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📝 JFET 飽和區判定
💡 JFET飽和需滿足Vgs>Vp且Vds大於等於驅動壓差
比較維度 歐姆區 (可變電阻區) VS 飽和區 (定電流區)
電壓條件 Vds < Vgs - Vp — Vds >= Vgs - Vp
電流特性 Id 隨 Vds 增加而增加 — Id 趨於恆定,受 Vgs 控制
電路等效 等效為受控電阻 — 等效為受控電流源
💬Vds 電位必須高於夾止壓差,JFET 才能發揮放大器所需的定電流特性。
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MOSFET 工作區域 JFET 轉移特性曲線 自我偏壓電路分析

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