108年taipower_recruit — 電子學

共 50 題 · 含 AI 詳解

#1 若有一訊號其$i(t) = 4 + 2\sin10t$，其平均值、有效值分別為何? › #2 帶電量$1.6 \times 10^{-19}$庫倫的電子，通過1伏特的電位差，所需的能量為何? › #3 若盤面中的保險絲燒毀，下列何種處置最為正確? › #4 現場作業時，欲確認盤面(電路板)上某一點是否帶電，可使用三用電錶進行確認，請問此時三用電錶最合適選用的檔位為何? › #5 矽、鍺半導體材料的導電性，隨溫度上升將產生何種變化? › #6 在矽半導體材料中，摻入三價的雜質，請問將形成P型或N型半導體?半導體內部的多數載子為何?此塊半導體的電性為何? › #7 一般發光二極體，最主要的發光機制為何? › #8 在未加壓情況下，PN接面的空乏區內，主要含有下列何者? › #9 若PN接面的空乏區兩側，P型半導體與N型半導體的摻雜(Doping)濃度不同，濃度較高者，該側空乏區寬度將如何變化? › #10 一般雙極接面電晶體(BJT)其基極(B)、集極(C)與射極(E)的摻雜濃度由大至小依序為何? › #11 如右圖所示之電路，理想稽納二極體$V_z$= 15 V, 若 $V_i$= 20 V,則$V_o$為何? › #12 如右圖所示之電路，$V_i$=110sin(377t)，輕載且正常工作時，則下列敘述何者正確? › #13 一般常用NPN BJT與PNP BJT之工作頻率，下列敘述何者正確? › #14 利用BJT作小信號的線性放大器，為避免輸出信號失真情形，必須施加適當的偏壓使工作點(Operating Point)落在何區域內? › #15 對於需要具備低輸入阻抗及高輸出阻抗，卻不要求高電流增益的電路而言(如電流緩衝器)，最適合採用下列哪一種形式之電晶體放大電路? › #16 如右圖所示之電路，若BJT之$\beta$=1000，$V_{BE}$=0.7V，則$V_{CE}$約為何? › #17 承第16題，假設不考慮$V_A$ (Early Effect)效應，其電壓增益$\frac{V_o}{V_i}$約為何? › #18 某N通道接面型場效電晶體(JFET)之夾止電壓(Pinch-Off Voltage) $V_P$= -4V且源極電壓$V_S$=0V，則下列何者情況下，電晶體可… › #19 下列放大電路中，何者電流增益略小於1? › #20 如【圖1】所示，若BJT之$\beta$=50，切入電壓$V_{BE}$=0.7V，則集射極電壓$V_{CE}$約為何? › #21 如【圖2】所示，若BJT之$\beta$=100，$V_{CE}$=5 V，$V_{BE}$=0.7V，則$R_B$值約為何? › #22 如【圖3】所示，兩BJT之$\beta$=80，$V_{BE}$皆為0.7V，若不需考慮$V_A$(Early Effect)，且$r_o$很小可忽略的情況下，… › #23 承第22題，輸入阻抗$Z_o$之值約為何? › #24 串級放大電路作直流分析時，耦合電容及射極旁路電容可分別視為下列何者? › #25 下列何者為運算放大器輸出電壓之最大變化率? › #26 如右圖所示之理想運算放大器電路，其電壓增益$\frac{V_o}{V_i}$之值為何? › #27 有關差動放大器的特性，$A_c$(共模增益)及$A_d$(差模增益)，下列敘述何者有誤? › #28 有一串級放大器，其第一級電壓增益為25，第二級電壓增益為4。請問在此狀況下，其總電壓增益為何? › #29 有一N通道接面型場效電晶體(JFET)，若$V_{GS}$=-2V，且$V_{GS(off)}$= -4V，則當$V_{DS}$=1V與$V_{DS}$=5V時… › #30 如右圖所示放大電路，$V_{io}$為考慮運算放大器輸入抵補電壓後之等效電壓值。若$V_i(t)$=0V時，測得$V_o(t)$ = 20 mV，則$V_{io}$… › #31 如右圖所示之電路，在截止頻率時其電壓增益值約為何? › #32 關於濾波器的敘述，下列何者正確? › #33 如【圖4】所示，假設$Q_1$、$Q_2$電晶體之參數完全相同，且電晶體之基極電流可忽略不計，$V_t$= 25 mV，試求電路之小訊號電壓增益$\frac{V_{io}}{V_i}$… › #34 如【圖5】所示，假設經由小訊號分析得知$Z_1$=2MΩ，則其電流增益$\frac{I_o}{I_i}$約為何? › #35 有關場效電晶體FET之敘述，下列何者正確? › #36 下列敘述何者有誤? › #37 如【圖6】所示，$V_D$=15 V，$V_{GS}$=-3 V，則$R_S$為何? › #38 如【圖7】所示，若MOSFET之臨限電壓(Threshold Voltage)為2V，閘源極間電壓$V_{GS}$=4V時，其汲極電流$I_{D(on)}$=2… › #39 如【圖8】所示，若一電阻電容耦合串級放大器電路之頻率響應，$f_L$與$f_H$分別為低頻與高頻截止頻率，則電路的低頻增益衰減現象由下列何者所造成? › #40 如【圖9】所示，$R_G$=10kΩ，$R_D$=5kΩ，若JFET之$r_{ds}$=20kΩ，$g_m$=1.5(mA/V)，電壓增益$\frac{V_o}{V_s}$… › #41 如【圖10】所示JFET共源極放大電路，若JFET之轉移電導$g_m$=2 (mA/V)，輸出電阻$r_d$=40kΩ，則放大電路的電流增益$\frac{I_o}{I_i}$… › #42 如【圖11】所示，若JFET的轉移電導$g_m$=4(mA/V)，不考慮汲極輸出電阻時，則輸出電阻$Z_o$為何? › #43 有關JFET共汲極放大電路之敘述，下列何者正確? › #44 某N通道增強型MOSFET放大電路，MOSFET之臨限電壓(Threshold Voltage)$V_t$=2V，參數K=0.3 (mA/V²)，若MOSFET… › #45 有關場效電晶體放大器之敘述，下列何者有誤? › #46 如右圖所示電路，假設使用理想運算放大器，$R_1=R_4=10kΩ$, $R_2=20kΩ$, $C_1=0.2μF$, $C_2=0.1μF$，試求在巴克豪森… › #47 使用非反相放大器之韋恩電橋(Wien-Bridge)振盪電路，若要產生振盪，則回授網路相移角度為何? › #48 如【圖12】所示運算放大器之RC相移電路，其振盪頻率與振盪條件下列何者正確? › #49 如【圖13】所示，為類似韋恩電橋的振盪電路，若L=100μH，$R$=314 Ω，$R_3$=3 kΩ，$R_4$=1kΩ，試問此電路的振盪頻率約為何? › #50 如【圖14】所示為常見振盪電路，若運算放大器之飽和電壓+$V_{sat}$與-$V_{sat}$分別為12V與-12V，則輸出信號$V_o$為何? ›