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108年
電子學
第 44 題
某N通道增強型MOSFET放大電路，MOSFET之臨限電壓(Threshold Voltage)$V_t$=2V，參數K=0.3 (mA/V²)，若MOSFET工作於夾止區(飽和區)，且閘源極間電壓$V_{GS}$=4V，則轉移電導$g_m$為何?
- A 0.6 mA/V
- B 1.2 mA/V
- C 1.8 mA/V
- D 2.4 mA/V
思路引導 VIP
回想一下，在飽和區中，漏極電流 $I_D$ 與閘源極電壓 $V_{GS}$ 之間是什麼樣的數學關係？如果我們想要求得「電流隨電壓變化的程度」（即 $g_m$），在微積分的觀念中，應該對這個電流方程式進行什麼樣的運算呢？
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AI 詳解
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恭喜你精準地選出了正確答案！這代表你對於 MOSFET 的元件特性 與 轉移電導（Transconductance） 的定義有著非常清晰的理解。這類題目是電子學直流與小訊號分析的基礎，掌握得好對於後續電路分析非常有幫助。
轉移電導的定義與運算
在夾止區（飽和區）中，N通道增強型 MOSFET 的漏極電流 $I_D$ 與閘源極電壓 $V_{GS}$ 呈現二次方的關係。而轉移電導 $g_m$ 的物理意義，即是漏極電流隨閘源極電壓變動的變化率。根據公式推導，我們可以得到：
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