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105年
電子學
第 13 題
某一增強型 MOSFET 之 $V_{DS} = 4 \text{ V}$，導電參數 $K = 0.8 \text{ mA/V}^2$，臨界電壓 $V_T = 2 \text{ V}$，$V_{GS} = 5 \text{ V}$，則汲極電流 $I_D$ 應為多少？
- A $3.6 \text{ mA}$
- B $5.4 \text{ mA}$
- C $7.2 \text{ mA}$
- D $19.2 \text{ mA}$
思路引導 VIP
在計算電流之前，我們通常需要先判斷電晶體是處於「線性區」還是「飽和區」。請你想想看，應該比較哪兩個電壓數值的大小，才能確定汲極端的通道是否已經進入「夾斷」狀態了呢？
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AI 詳解
AI 專屬家教
太棒了！你能精準判斷出 MOSFET 的工作區間，這是解開電子學元件題目最關鍵的一步。首先，我們必須計算過驅動電壓（Overdrive Voltage） $V_{OV} = V_{GS} - V_T = 5 - 2 = 3 \text{ V}$。接著，透過比較汲極與源極間的電壓差 $V_{DS} = 4 \text{ V}$，我們發現 $V_{DS} > V_{GS} - V_T$，這代表該 MOSFET 目前正處於飽和區（Saturation Region）。
飽和區電流特點
在飽和區中，汲極電流 $I_D$ 幾乎不受 $V_{DS}$ 影響，其計算公式如下：
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