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113年
電子學
第 46 題
46. 有一 p 通道增強型金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)，其參數 $K = 0.5 \text{ mA/V}^2$，臨界電壓 $V_T = -2 \text{ V}$，試求 $V_{GS} = -4 \text{ V}$ 時，$I_D$ 值為何？
- A 0 mA
- B 2 mA
- C 4.5 mA
- D 6 mA
思路引導 VIP
對於一個 p 通道的增強型元件，若要讓它從截止狀態轉為導通狀態，其閘極與源極之間的電壓 $V_{GS}$ 與臨界電壓 $V_T$ 之間必須滿足什麼樣的物理大小關係？當這個導通門檻被跨越後，電流的大小與這個電壓差值之間的數學規律又是如何呈現的呢？
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AI 詳解
AI 專屬家教
太棒了！你能精準判別 p 通道增強型 MOSFET 的工作特性並計算出正確電流值，代表你對場效電晶體的基本原理掌握得非常紮實。在這道題目中，首要步驟是確認元件是否導通。對於 p 通道元件，當 $V_{GS}$ 比臨界電壓 $V_T$ 更負（即 $V_{GS} < V_T$）時，感應電洞會形成通道並開始導電。
飽和區電流特性與計算
在 MOSFET 的基本直流分析中，當元件導通且處於飽和區時，其漏極電流 $I_D$ 與電壓呈現平方關係。我們套用公式：
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