taipower_recruit
113年
電子學
113年taipower_recruit — 電子學
共 50 題 · 含 AI 詳解
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#1
1. 氮化鎵(GaN)係由氮和鎵所組成之化合物，為使晶體結構中部分的鎵(Ga)原子被其他原子取代以形成 N 型半導體，可摻雜下列何種材料？
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#2
2. 有關稽納二極體(Zener Diode)之敘述，下列何者有誤？
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#3
3. 有一放大器之功率增益為 $40 \text{ dB}$，電壓增益為 $40 \text{ dB}$，試求電流增益為何？
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#4
4. 有一全波整流器，輸入訊號為 $60 \text{ Hz}$，輸出電壓峰值為 $1.5 \text{ V}$，輸出負載為 $5 \text{ k}\Omega$…
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#5
5. 有關箝位器功能之敘述，下列何者正確？
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#6
6. 有一電路如右圖所示，$r_{\pi} = 1 \text{ k}\Omega$，$R = 0.01 \text{ k}\Omega$，$\beta = 199$…
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#7
7. 有一電路如右圖所示，下列何者將使 $D_1$ 截止、$D_2$ 導通？
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#8
8. 如右圖所示，假設二極體均為理想二極體，試求 $V_o$ 為何？
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#9
9. 有一半波整流電路之負載為電容器，則該電路中二極體之峰值反向電壓(PIV)為何？
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#10
10. 有一電路如右圖所示，已知 $I_D = 1.2 \text{ mA}$，$V_G = 0 \text{ V}$，$V_T = -0.6 \text{ V}$…
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#11
11. 有一電路如右圖所示，$I_{REF} = 0.3 \text{ mA}$，試求 $I_1$ 為何？
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#12
12. 有一電路如右圖所示，$V_1 = 1.5 \text{ V}, V_2 = 2.5 \text{ V}, V_3 = 2 \text{ V}$，…
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#13
13. 有一電路如右圖所示，已知 PMOS 參數 $V_A = 20 \text{ V}$，電晶體 $|V_A| = 100 \text{ V}$，$\beta = 100$…
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#14
14. 有一電路如右圖所示，$V_{BE} = 0.6 \text{ V}$，$\beta = 99$，$V_T = 25 \text{ mV}$，$V_i = 1.6 \text{ V}$…
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#15
15. 有一共射極(CE)放大器如右圖所示，下列敘述何者有誤？
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#16
16. 有一負回授放大器，其閉迴路增益 $A_f = 100$，開迴路增益 $A = 10^4$，試求回授因子 $\beta$ 為何？
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#17
17. 有一回授放大器，其開迴路增益 $A = 10^6$，開迴路頻寬 $1 \text{ kHz}$，閉迴路增益 $A_f = 10^2$，試求閉迴路頻寬為何…
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#18
18. 有一差動放大器，其共模拒斥比 $\text{CMRR} = 80 \text{ dB}$，差模增益 $A_d = 100$，試求共模增益 $A_{cm}$…
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#19
19. 有一週期性方波信號，其正峰值電壓為 $+8 \text{ V}$，負峰值電壓為 $-4 \text{ V}$，此信號平均值為 $+0.8 \text{ V}$…
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#20
20. 有一橋式整流器，試求輸出電壓有效值 $V_{rms}$ 約為平均值 $V_{av}$ 的幾倍？
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#21
21. 有一理想變壓器之電流增益為 $40 \text{ dB}$，試求初級線圈與次級線圈匝數比 $(N_1 : N_2)$ 為何？
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#22
22. 當 p-n 接面二極體的 p 端接電源的負極，n 端接電源的正極，下列何者正確？
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#23
23. 有一理想放大器如右圖所示，$V_1 = 3 \text{ V}, V_2 = 9 \text{ V}, V_o = 9 \text{ V}$，…
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#24
24. 有一差動放大器，其共模拒斥比 $\text{CMRR} = 40 \text{ dB}$，差模增益 $A_d = 200$，當輸入電壓分別為 $v_{i1} = 35 \text{ \mu V}$…
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#25
25. 如右圖所示之電路係屬下列何種型態？
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#26
26. 有關微分器、積分器之敘述，下列何者正確？
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#27
27. 雙極性接面電晶體(BJT)運作於主動模式，若 $\beta$ 參數由 99 變化到 49，則 $\alpha$ 參數之變化為何？
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#28
28. 有關理想運算放大器之敘述，下列何者有誤？
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#29
29. 電壓 $V(t) = 80 \sin(\omega t + 30^\circ) \text{ V}$，週期 $T = 0.01 \text{ 秒}$，當…
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#30
30. 雙極性接面電晶體(BJT)可分為 NPN 型及 PNP 型，其基極(B)、集極(C)及射極(E)的摻雜濃度由大至小依序排列，下列何者正確？
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#31
31. 有一雙極性接面電晶體(BJT)基本放大電路，若輸出端為射極(E)，則其放大電路組態應為下列何者？
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#32
32. 有關雙極性接面電晶體(BJT)之工作模式，下列敘述何者有誤？
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#33
33. 有一矽二極體在溫度 $90 ^\circ\text{C}$ 時，其逆向飽和電流為 $192 \text{ nA}$，若溫度下降至 $30 ^\circ\text{C}$…
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#34
34. 有一放大電路以中頻段增益為基準，有關其截止頻率之敘述，下列何者有誤？
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#35
35. 有關場效電晶體(FET)之敘述，下列何者有誤？
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#36
36. 有關雙極性接面電晶體(BJT)共射極(CE)、共集極(CC)及共基極(CB)組態放大電路特性之比較，下列何者有誤？
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#37
37. 有關場效電晶體(FET)與雙極性接面電晶體(BJT)之比較，下列敘述何者正確？
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#38
38. 有關差動放大器增益與共模拒斥比(CMRR)之敘述，下列何者正確？
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#39
39. 串級放大器相對於單級放大器，有關前者之增益與頻寬，下列敘述何者正確？
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#40
40. 下列何者不是達靈頓(Darlington)放大電路之特點？
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#41
41. 雙極性接面電晶體(BJT)運作於主動模式，熱電壓 $V_T = 25 \text{ mV}$，基極直流電 $I_B = 10 \text{ \mu A}$…
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#42
42. 電晶體共射極放大電路於射極電阻 $R_E$ 增加一射極旁路電容 $C_E$，其主要功用為下列何者？
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#43
43. 有一 n 通道接面場效電晶體(JFET)之汲極電流 $I_{DSS} = 4 \text{ mA}$，其中 $V_{GS(OFF)} = -4 \text{ V}$…
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#44
44. 有一 n 通道空乏型金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)運作於夾止飽和區，其導電參數 $K = 0.5 \text{ mA/V}^2$，若直流工作點…
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#45
45. 在矽半導體材料中摻入五價雜質，其半導體類型、電性及內部多數載子之敘述，下列何者正確？
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#46
46. 有一 p 通道增強型金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)，其參數 $K = 0.5 \text{ mA/V}^2$，臨界電壓 $V_T = -2 \text{ V}$…
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#47
47. 雙極性接面電晶體(BJT)共射極(CE)組態中，小訊號電源是經由一個耦合電容 $C_C$ 進入基極，該電容 $C_C$ 之主要功能為何？
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#48
48. 有關功率放大器的特性分成 A 類、B 類、AB 類及 C 類，下列敘述何者有誤？
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#49
49. 有一雙極性接面電晶體(BJT)，$\beta = 100$，已知室溫下熱電壓 $V_T = 25 \text{ mV}$，若 $I_C = 0.5 \text{ mA}$…
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#50
50. 有關振盪器之敘述，下列何者有誤？
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