106年taipower_recruit — 電子學

共 50 題 · 含 AI 詳解

#1 1. 有一脈波寬度為 $100 \mu s$，工作週期為 \$50 \%$，則此脈波之頻率為何？ › #2 2. 如右圖所示電路，若二極體之導通電壓為 0.7 V，則輸出電壓值 $V_o$ 為何？ › #3 3. 有一電源電路之輸出電壓 $V(t) = 10 + 0.2 \sin(\omega t)$ 伏特，則其漣波因數百分比約為多少？ › #4 4. 有一直流電源之電動勢為 30 V，內阻為 $2 \Omega$，滿載時所提供之電流為 2.5 A，則此電源之電壓調整率為何？ › #5 5. 如右圖所示電路，假設射極電壓 $V_E = -0.7 V$，$\beta = 50$，$V_{CC} = 10 V$，則 $V_C$ 約為多少？ › #6 6. 下列何者為電晶體電路施加直流偏壓的主要目的？ › #7 7. 如右圖所示電路，$Q_1$ 與 $Q_2$ 為匹配之電晶體 ($\beta_1 = \beta_2 = \beta$)，且皆操作於作用區 (active… › #8 8. 當一輸出額定值為 40 W 的放大器被接到一個 $10 \Omega$ 的揚聲器上，若放大器之功率增益為 20 dB，試求在全功率輸出時，輸入功率應為多少… › #9 9. 有一 N 通道增強型 MOSFET 的臨界電壓 $V_T = 2 V$，當 $V_{GS} = 5 V$ 時，MOSFET 工作於飽和區 (夾止區)，且… › #10 10. 如右圖所示電路，已知 $g_m = 5 mS$，$r_d = 20 k\Omega$，則 $V_o$ 為何？ › #11 11. 如右圖所示電路，若 $Q_1$ 與 $Q_2$ 完全相同，則 $V_o$ 的週期約為多少？ › #12 12. 如右圖所示電路，為___濾波電路，其截止頻率為___，請問空格處應填入下列哪組選項？ › #13 13. 運算放大器若利用 RC 相移電路產生振盪，則此 RC 電路必須提供的相位移為何？ › #14 14. 有一只 PN 矽質二極體之溫度為 25 °C 時，其順向電壓為 0.7 V，則當溫度上升到多少 °C 時，其順向電壓為 0.5 V？ › #15 15. 如右圖所示電路，其 I-V 特性曲線為下列何者？ › #16 16. 若有一共射極組態電晶體之 $\alpha$ 值由 0.98 變至 0.99，則 $\beta$ 值變化為何？ › #17 17. 有關電晶體的結構與特性，下列敘述何者有誤？ › #18 18. 如右圖所示之 LED 驅動電路，使 LED 發亮的電壓為 2 V，電流為 15 mA，假設飽和電晶體之 $V_{CE(sat)}$ 電壓降可忽略不計，$V_{BE(sat)} = 0.8 V$… › #19 19. 如右圖所示之放大電路，已知電晶體的 $\beta$ 值為 109，此電路的 $r_\pi$ 為 $1.1 k\Omega$，則此放大電路的輸出阻抗 $Z_o$… › #20 20. 有一電路之電流增益 $A_i = 49$，輸入阻抗為 $2 k\Omega$，輸出阻抗為 $18 k\Omega$，則此電路之電壓增益為何？ › #21 21. 有一個 N 通道 JFET，若 $I_{DSS} = 12 mA$，$V_{GS(OFF)} = V_P = -4 V$，則 $V_{GS} = -2 V$… › #22 22. 有一個 P 通道增強型 MOSFET，其臨界電壓 $V_T = -2 V$，假設其閘極 (gate) 接地而源極 (source) 接至 +5 V，欲使… › #23 23. 下列由理想運算放大器 (OPA) 所製作的應用電路中，哪一種電路中之 OPA 的輸入端不可看成虛短路？ › #24 24. 有一差動放大器，其兩輸入電壓分別為 $V_{i1} = 55 \mu V$，$V_{i2} = 45 \mu V$，共模拒斥比 $CMRR(dB) = 40 dB$… › #25 25. 有關理想運算放大器的特性，下列敘述何者有誤？ › #26 26. 類比式交流電壓表所量測的交流電壓值為下列何者？ › #27 27. 下列何者不是二極體常見的功用？ › #28 28. 稽納二極體 (Zener Diode) 常應用於下列何種電路？ › #29 29. 如右圖所示，$V_i = 20 V$，稽納二極體 (Zener Diode) 的崩潰電壓 $V_Z = 10 V$，$R_1 = 1 k\Omega$，… › #30 30. 如右圖所示，$V_i = 20 V$，稽納二極體 (Zener Diode) 之崩潰電壓 $V_Z = 8 V$，$R_1 = 1 k\Omega$，$R_2 = 2 k\Omega$… › #31 31. 如右圖所示，$V_i = 10 V$，稽納二極體 (Zener Diode) 之崩潰電壓 $V_Z = 8 V$，$R_1 = 1 k\Omega$，$R_2 = 2 k\Omega$… › #32 32. 有一電晶體，適當偏壓於作用區，測得 $I_B = 0.05 mA$，$I_E = 5 mA$，則此電晶體的 $\alpha$ 值為多少？ › #33 33. 下列何種電路不具備電流放大的功能？ › #34 34. 下列何種 BJT 電晶體放大電路組態之功率增益最高？ › #35 35. 一般 BJT 電晶體作為小信號線性放大器，電晶體必須施加適當偏壓，使工作點 (operating point) 落在下列哪種區域內，可獲得較佳之放大倍率… › #36 36. 如右圖所示電路，電晶體的 $\beta = 100$，集極電流為 2 mA，$V_{CE} = 4 V$，$R_C$ 兩端之電壓為 4 V，$V_{BE} = 0.7 V$… › #37 37. 如右圖所示電路，電晶體的 $\beta = 120$，$V_{CE(sat)} = 0.2 V$，$V_{BE(act)} = V_{BE(sat)} = 0.7 V$… › #38 38. 如右圖所示電路，電晶體的 $\beta = 120$，$V_{CE(sat)} = 0.2 V$，$V_{BE(act)} = V_{BE(sat)} = 0.7 V$… › #39 39. 如右圖所示電路，電晶體的 $\beta = 120$，$V_{CE(sat)} = 0.2 V$，$V_{BE(act)} = V_{BE(sat)} = 0.7 V$… › #40 40. 對於達靈頓 (Darlington) 電路特徵的敘述，下列何者有誤？ › #41 41. 已知一放大電路電壓增益 $A_V$ 為 100，電流增益 $A_i$ 為 10，則其功率增益 $A_P(dB)$ 為多少？ › #42 42. 下圖所示 CMOS 反相器電路，若不計電路延遲，且輸入信號如標示 (a) 之弦波，則輸出之信號 $V_o$ 應為下列何者？ › #43 43. 下圖所示 CMOS 反相器電路，若不計電路延遲，且輸入信號如標示 (b) 之方波，則輸出之信號 $V_o$ 應為下列何者？ › #44 44. 有一採用共源極放大電路之場效電晶體，其參數 $g_m = 1.5 m\mho$，$r_d = 10 k\Omega$，已知電路中不存在源極電阻 $R_S$… › #45 45. 下列敘述，何者有誤？ › #46 46. 如右圖所示電路，此電路功能為下列何種濾波器？ › #47 47. 右圖為理想放大器所構建之韋恩電橋 (Wien-bridge) 振盪器，若 $R_1 = R_2$，$C_1 = C_2$，其電壓增益 $A_V$ 應為下… › #48 48. 右圖為理想放大器所構建之韋恩電橋 (Wien-bridge) 振盪器，若 $R_1 = 4 k\Omega$，$R_2 = 1 k\Omega$，$R_4 = 10 k\Omega$… › #49 49. 右圖為理想放大器所構建之韋恩電橋 (Wien-bridge) 振盪器，若 $R_1 = 4 k\Omega$，$R_2 = 1 k\Omega$，$R_4 = 10 k\Omega$… › #50 50. 右圖為理想放大器所構建之韋恩電橋 (Wien-bridge) 振盪器，若 $R_1 = 4 k\Omega$，$R_2 = 1 k\Omega$，$R_4 = 10 k\Omega$… ›