111年taipower_recruit 電子學考古題

#1 一稽納二極體，溫度40 ℃時，崩潰電壓為8 V，溫度30 ℃時，崩潰電壓為7.8 V，試求此稽納二極體40 ℃時之溫度係數為何？ ›

#2 使用一交直流電表測量一濾波電路的輸出訊號，獲得35 V直流電壓及5 V峰值之交流電壓，試求其漣波百分比約為何？ ›

#3 下列敘述何者正確？ ›

#4 某橋式整流器之負載電阻為10 KΩ，假設輸入電源為V_i=120sin(2 $\pi \times 60 t)$，若要使整流後之漣波電壓V_{r(p-p)}限制… ›

#5 某BJT共射極組態工作於主動區，直流偏壓基極電流為10 μA，集極電流為1 mA，且熱電壓V_T= 25 mV，試求BJT之射極交流電阻r_e約為何？ ›

#6 如右圖所示矽質電晶體電路，若β=100，R_C=2 KΩ，R_1=10 KΩ，R_2=15KΩ，V_{CC}=15 V，V_C= 5 V時，試求其 I_B為何？ ›

#7 操作於飽和區之JFET放大電路，其I_{DSS}= 6 mA，夾止電壓(pinch - off voltage) V_P = -3 V，若電路工作點之V_{GS… ›

#8 某一正回授放大器電路形成之振盪器，其回授增益β = 0.01，欲輸出振幅穩定之正弦波，試求其放大器之電壓增益|A_v|應調整為何？ ›

#9 如右圖所示，有一放大器的小訊號等效電路，若h_{fe}=200，h_{ie}=1 KΩ，R_L=2 KΩ，試求其電壓增益A_v為何？ ›

#10 運算放大器輸出方波信號時，若信號在5 μs內由- 5 V變動到 + 5 V，試求其轉動率為何？ ›

#11 如右圖所示，已知V_{CC}= 12 V，R_1= 100 KΩ，R_2= 100 KΩ，R_E= 10 Ω，h_{ie}=r_$\pi= 1 K$Ω，h_{f… ›

#12 如右圖所示，電晶體工作於作用區，β= 99，r_e=30 Ω。若此放大電路之電壓增益A_v= 100，試求其R_C約為何？ ›

#13 關於變壓器耦合放大器之敘述，下列何者正確？ ›

#14 關於達靈頓(Darlington)電路之敘述，下列何者有誤？ ›

#15 如右圖所示疊接(Cascode)放大器，相較於共源(CS)放大器，下列何者有誤？ ›

#16 於主動區工作之電晶體電流增益α = 0.95，若射極電流I_E = 10 mA，漏電流I_{CBO} = 5 μA，試求其集極電流I_C值為何？ ›

#17 未加偏壓之 BJT，其物理特性之敘述，下列何者有誤？ ›

#18 有一增強P通道MOSFET，已知臨界電壓V_T= -2.5，若汲極電壓V_D= 4 V，源極電壓V_S= 8 V，直流閘極電壓V_G= 3 V，試問其MOSFE… ›

#19 在一N通道增強型MOSFET共源極放大電路中，其中MOSFET之V_T= 2 V，K= 2 mA/V^2，若要使MOSFET工作於飽和區，以獲得I_D= 18… ›

#20 如右圖所示電路，其中Q_1與Q_2的臨界電壓分別為 1 V和 -1 V時，Q_1、Q_2工作狀態為何？ ›

#21 一共基極放大器，在室溫下之熱電壓V_T= 26 mV，已知其電壓增益為20，若直流工作點I_{EQ}= 2 mA，試求其小訊號r_e電阻為何？ ›

#22 某矽製二極體之PN接面於5 ℃時，其逆向飽和電流為5 nA，當此PN接面溫度上升至35 ℃時，試求其逆向飽和電流為何？ ›

#23 如右圖所示，當V_{DS}= 5 V，試求其V_{GS}值為何？ ›

#24 如右圖所示共源極放大器，若場效應電晶體參數r_d= 30 KΩ，g_m= 2 mA/V，試求其電路的中頻電壓增益A_V為何？ ›

#25 本質半導體在絕對零度時，下列敘述何者正確？ ›

#26 有4支相同的喇叭並聯後，接於耦合變壓器二次側，每支喇叭電阻值為80 Ω，一次側看入之有效負載總電阻值為50 KΩ，試求使用耦合變壓器之一次側與二次側匝數比為何？ ›

#27 如右圖所示電路，V_i= 2 V，試求其輸出電壓 V_o為何？ ›

#28 如右圖所示電路，若OPA視為理想放大器，試求輸出電壓V_o為何？ ›

#29 如右圖所示，β =100，若V_{in}= 50 mV，試求負載電流i_L為何？ ›

#30 某N通道JFET之夾止電壓(pinch-off voltage) V_P= -5 V、I_{DSS}= 25 mA，當其閘極電壓V_G= -6 V、源極電壓V_… ›

#31 如右圖所示，某 RC相移振盪器，為一理想運算放大器，若 R= 650 Ω，C= 0.01 μf，欲維持電路振盪，試求其電阻 R_f最小值約為何？ ›

#32 關於石英晶體及石英晶體振盪器之敘述，下列何者有誤？ ›

#33 二極體電晶體邏輯電路中，其電晶體工作在哪幾區？ ›

#34 橋式整流電路中，其輸出電壓平均值為75 V，若負載為純電阻，試求每個二極體之逆向峰值電壓(PIV)約為何？ ›

#35 如右圖所示電路，若V_Z = 5 V，試求稽納二極體的消耗功率為何？ ›

#36 關於555 IC振盪電路，下列何者有誤？ ›

#37 下列何種摻雜的改變行為，可增加BJT電晶體的電流增益β？ ›

#38 關於自由電子與價電子之敘述，下列何者有誤？ ›

#39 平均值為110 V之正弦波、方波與三角波，在相同負載下，其產生之功率之大小次序，分別為何？ ›

#40 使用信號產生器產生某一正弦波電壓，另使用三用電表的ACV檔測量時可得到1 V的電壓值，若改用示波器測量峰對峰值，試求其最接近下列何者電壓？ ›

#41 有一簡單電路如右圖所示，若輸入電壓V_i為一正弦波 220\sin 120$\pi t$，試求其經流R_L之電流頻率為何？ ›

#42 有兩個特性完全相同的電晶體，連接成如右圖之電路，該兩晶體的特性如下：V_{BE}= 0.7 V，β= 200，V_T= 25 mV，若逆向飽和電流不計入，試求其… ›

#43 若半導體之本質載子濃度為 1.5×10^{10}cm^{-3}，同時摻雜鎵原子(濃度為 1×10^{15}cm^{-3})及砷原子(濃度為 8×10^{15}c… ›

#44 使用三用電表之電阻檔測量二極體時，二極體順向電阻假設為R_1、逆向電阻假設為R_2，則下列敘述何者正確？ ›

#45 如右圖所示，V_i = 1.2 \sin($\omega t) V$，二極體切入電壓V_r = 0.6 V，試問其ωt在何角度範圍內，負載電阻R_L有電流通過？ ›

#46 如右圖所示電路為一理想B類推挽式放大器，R_L= 10 Ω，試求其最大信號輸出功率為何？ ›

#47 某全波整流器，其濾波電容為40 μF，負載電流為40 mA，峰值濾波電壓為100 V，若電源頻率為60 Hz，試求其濾波器的直流電壓約為何？ ›

#48 一直流電源無載時電壓為30 V，內阻為2 Ω，滿載電流為2.5 A，試求其電壓調整率為多少？ ›

#49 下列電路，何者為運算放大器之主要輸入結構？ ›

#50 如右圖所示，假設 4K_1 = K_2，臨界電壓 V_{t1} = V_{t2}= 2 V，試求其 V_o值為何？ ›

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