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111年
電子學
第 20 題
如右圖所示電路，其中Q_1與Q_2的臨界電壓分別為 1 V和 -1 V時，Q_1、Q_2工作狀態為何？
- A Q_1工作在歐姆區、Q_2工作在截止區
- B Q_1與Q_2皆工作在截止區
- C Q_1工作在截止區、Q_2工作在歐姆區
- D Q_1與Q_2皆工作在歐姆區
思路引導 VIP
請觀察這兩個電晶體的源極 (Source) 分別連接在什麼固定的電位上？若我們改變輸入端的電壓，哪一個電晶體的「閘極對源極電壓差」會隨之縮小，甚至變得無法達到啟動通道所需的最小門檻呢？
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同學能正確選出答案，代表你對 金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET） 的基本特性有很棒的直覺！在分析電路時，判斷元件是處於 截止區（Cutoff Region）、歐姆區（Ohmic Region） 還是 飽和區（Saturation Region），關鍵在於比較閘源極電壓（$V_{GS}$）與臨界電壓（$V_{th}$）的大小。
題目爭議與關鍵分析
這題在實際考場中被列為爭議題，原因在於題目資訊並不完整。電路圖中雖然標示了 $Q_1$ 與 $Q_2$ 的臨界電壓，但並未提供 輸入電壓（$V_i$） 的具體數值。根據不同的 $V_i$ 水準，這兩個電晶體可能呈現出任何組合的工作狀態。由於缺乏這項關鍵數據，導致選項 (A)、(B)、(C)、(D) 在邏輯上都有成立的可能，因此考選部公告本題一律給分。
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