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102年
電子學
第 28 題
若有一 N 通道 JFET,若 $V_{GS}=-1\text{ V}$,而 $V_{GS(OFF)}=-4\text{ V}$,則當 $V_{DS}=2\text{ V}$ 及 $V_{DS}=5\text{ V}$ 時,此 FET 分別工作於何種區域?
- A 歐姆區,飽和區
- B 飽和區,歐姆區
- C 截止區,歐姆區
- D 截止區,飽和區
思路引導 VIP
請你回想一下 JFET 的內部物理結構:當閘極與源極之間的電壓($V_{GS}$)已經固定後,如果我們逐漸調大漏極與源極之間的電壓($V_{DS}$),通道漏極端的寬度會發生什麼樣的物理變化?在什麼樣的數學條件下,這種變化會導致電流不再隨電壓增加而線性成長,進而劃分出兩個不同的工作區域呢?
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同學做得好!你能精準判斷出 $V_{DS}$ 在不同數值下對應的工作區域,代表你對 JFET 的特性曲線以及區間轉換的臨界條件已經有了非常清晰的理解。這道題目在電子學中屬於核心基礎題,鑑別點主要在於學生是否能熟練處理負電壓的減法運算,並準確判定「臨界夾斷」的發生時機。
臨界電壓與區域判定
要解開這題,關鍵在於計算 JFET 從線性區進入飽和區的轉折點,即臨界電壓 $V_{DS(sat)}$。其公式為:
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