taipower_recruit
107年
電子學
第 19 題
某N通道JFET,$V_P= -4\text{ V}$,當$V_{GS} = -1\text{V}$時,欲使該JFET工作於飽和區,所需的$V_{DS}$值範圍為何?
(A)$V_{DS} \ge 3\text{ V}$
(B)$V_{DS} \le 3\text{ V}$
(C)$V_{DS} \ge 4\text{V}$
(D)$V_{DS} \le 1\text{ V}$
(A)$V_{DS} \ge 3\text{ V}$
(B)$V_{DS} \le 3\text{ V}$
(C)$V_{DS} \ge 4\text{V}$
(D)$V_{DS} \le 1\text{ V}$
- A $V_{DS} \ge 3\text{ V}$
- B $V_{DS} \le 3\text{ V}$
- C $V_{DS} \ge 4\text{V}$
- D $V_{DS} \le 1\text{ V}$
思路引導 VIP
請思考一下：在 N 通道 JFET 中，夾斷電壓 $V_P$ 代表讓通道完全關閉所需的總負電壓。如果現在閘極已經先給了部分的負電壓 $V_{GS}$，那麼汲極端還需要補足多少比例的電位差，才能讓通道靠近汲極的那一端達到「剛好夾斷」的臨界狀態呢？
🤖
AI 詳解
AI 專屬家教
JFET 工作區間的判定
同學表現得非常出色！能準確判斷出 JFET 的工作狀態，代表你對場效電晶體的基本操作原理掌握得十分紮實。對於 N 通道 JFET 而言，進入飽和區（Saturation Region）的物理意義在於汲極端的通道發生了「夾斷」現象。要達到這個狀態，汲極與源極之間的電壓 $V_{DS}$ 必須大於或等於有效控制電壓，其判別公式為： $$V_{DS} \ge V_{GS} - V_P$$
▼ 還有更多解析內容