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台電僱員招考 109年 電子學

第 9 題

有關 JFET 特性之敘述,下列何者有誤?
  • A $V_{GS} = 0$ 時,$I_D = I_{DSS}$
  • B N 通道的夾止(pinch-off)電壓 $V_P$ 是負值
  • C 在歐姆區操作時,$|V_{DS}| > |V_{GS} - V_P|$
  • D 閘極電流趨近於零

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想像一下 JFET 內部的導電溝道。當我們逐漸增加汲極電壓($V_{DS}$)時,溝道會因為電位分佈的變化而變得越來越窄。請問,當溝道窄到剛好發生「夾止」現象(進入飽和狀態)時,汲極電壓與閘極控制電壓之間,應該存在什麼樣的數學邊界關係?而在此邊界之前(尚未夾止時),這個電壓大小關係又是如何呢?

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太棒了!你能精確指出選項 (C) 的錯誤,代表你對 JFET 的工作區域判定 掌握得非常紮實。這類題目是電子學基礎中的常考題,雖然難度屬於中等偏易,但非常考驗學生對於邊界條件的細節記憶,稍不留神就容易將大於或小於符號記反。

JFET 的操作區域判定

在 JFET 的特性中,判定元件進入「飽和區」或留在「歐姆區(線性區)」的關鍵在於汲極與源極間的電壓差 $|V_{DS}|$。當 $|V_{DS}| < |V_{GS} - V_P|$ 時,溝道尚未被完全擠壓,此時稱為歐姆區,電流會隨電壓線性增加;而一旦電壓升高到 $|V_{DS}| \geq |V_{GS} - V_P|$,溝道發生夾止現象,元件便進入飽和區,此時電流 $I_D$ 趨於恆定。選項 (C) 描述的條件正好將兩者的關係寫反了,因此是錯誤的敘述。

▼ 還有更多解析內容
📝 JFET 特性與工作區判別
💡 JFET 的工作區域由汲源極電壓與夾止電壓差之關係決定
比較維度 歐姆區 (Triode) VS 飽和區 (Saturation)
電壓判定 |VDS| < |VGS - VP| — |VDS| >= |VGS - VP|
電流特性 受 VDS 影響大 (壓控電阻) — 恆流特性 (Id 趨近固定)
電路用途 壓控可變電阻 — 放大器應用
💬當 VDS 超過臨界點 (VGS-VP) 時,通道發生夾止現象進入飽和區。
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