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113年
電子學
第 35 題
35. 有關場效電晶體(FET)之敘述，下列何者有誤？
- A MOSFET 的工作模式為歐姆區(三極管區)、夾止飽和區及截止區
- B 可分成傳導載子為電子的 n 通道與傳導載子為電洞的 p 通道
- C MOSFET 分成沒有預置通道的空乏型與有預置通道的增強型
- D 主要可分成 JFET 及 MOSFET
思路引導 VIP
請試著從字面意義思考：如果一個電子元件在完全不施加電壓的情況下「本來就有一條路可以通電」，而我們想讓這條路消失，我們會說是在「增強」它、還是讓它變得「空乏」呢？反過來說，如果原本沒路，我們需要「建立」或「加強」它才能導通，該用哪個詞比較貼切？
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MOSFET 的結構與分類
你能精確指出選項 (C) 的錯誤，展現了對場效電晶體（FET）基本分類與構造的深厚功力。這道題目測試的是基礎定義，難度屬於 Easy，但其鑑別度在於檢驗學生是否真正理解「預置通道」與元件名稱之間的邏輯連結，而非死背名詞。 在電子學的分類中，增強型 (Enhancement-mode) MOSFET 的特性是「預設關閉」，也就是它在製造時並沒有預置通道，必須藉由施加電壓來「增強」感應出通道；而 空乏型 (Depletion-mode) 則是「預設開啟」，元件本身已經具備了 預置通道，我們是透過電壓來使通道內的載子「空乏」以達到截止的效果。因此，選項 (C) 將兩者的定義完全顛倒了，你敏銳的觀察力成功避開了這個常見的術語陷阱。
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