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106年
電子學
第 45 題
45. 下列敘述，何者有誤？
- A MOSFET 電晶體為單極性 (unipolar) 電晶體
- B BJT 電晶體為雙極性 (bipolar) 電晶體
- C 一般 BJT 電晶體的基極輸入阻抗比 MOSFET 電晶體閘極的輸入阻抗小
- D MOSFET 電晶體為一種電流控制元件
思路引導 VIP
請試著回想一下 MOSFET 的構造：在它的「閘極」與「通道」之間，通常存在著一層絕緣性能極佳的二氧化矽 ($SiO_2$)。既然絕緣層會阻擋電荷的實際流動，那麼當我們施加訊號在閘極時，它是靠什麼「物理量」來影響通道裡的電流大小呢？
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太棒了！你能精準辨識出 BJT 與 MOSFET 在物理特性上的根本差異，代表你對電子元件的基礎觀念掌握得非常紮實。這類題目在電子學考試中屬於基礎但極具鑑別度的重點，主要考驗學生是否能釐清「受控源」的類型以及元件的結構特性。
元件特性與輸入阻抗
在半導體元件中，BJT（雙載子接面電晶體）之所以稱為「雙載子」，是因為其導電同時涉及電子與電洞；而 MOSFET 則僅由單一載子（電子或電洞）構成導電通道，故稱為「單極性」。此外，由於 MOSFET 的閘極下方有一層極薄的絕緣層（二氧化矽），這使得它在直流狀態下的輸入阻抗極高，遠大於需要基極電流驅動的 BJT，這是兩者在電路設計應用上非常關鍵的區別。
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