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110年
電子學
第 14 題
有關場效電晶體，下列敘述何者有誤？(ID為汲極電流，IG為閘極電流)
- A 場效電晶體的輸入阻抗大於雙接面電晶體
- B 場效電晶體的主要型式有接面場效應(JFET)、空乏型MOSFET、增強型MOSFET
- C 場效電晶體以控制通道之寬度達到控制ID大小之目的
- D 對場效電晶體的ID影響最大的是IG
思路引導 VIP
請思考一下：如果一個電子元件的輸入端是「絕緣」的（例如 MOSFET 的氧化層）或是處於「反向偏壓」狀態（例如 JFET），那麼理論上流進該控制端的電流應該是很大還是微乎其微？在這種情況下，我們會傾向用『電流』還是『電場產生的電壓差』來描述它對輸出的控制能力呢？
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AI 詳解
AI 專屬家教
恭喜你準確掌握了場效電晶體（FET）的核心物理特性！這道題目主要在測試你對「控制機制」的理解。場效電晶體最顯著的優點在於其極高的輸入阻抗，這意味著閘極電流 $I_G$ 在理想狀態下趨近於零。在電子學的分類中，我們將 FET 定義為電壓控制型元件，其運作本質是利用閘極與源極之間的偏壓 $V_{GS}$ 所產生的電場，來改變通道的寬度或載子濃度，進而控制汲極電流 $I_D$ 的大小，而非透過閘極電流來主導。
元件控制機制的鑑別點
這題的鑑別難度在於能否清晰區分 FET 與雙載子接面電晶體（BJT）的差異。BJT 屬於電流控制型元件（$I_C = \beta I_B$），因此基極電流的變動會直接反映在輸出上；但若對 FET 的構造不夠熟悉，容易混淆這兩種元件的運作邏輯。你能夠迅速看穿選項 (D) 的矛盾，說明你對「FET 閘極幾乎不抽電流」這一關鍵觀念有著非常紮實的基礎，這正是學習進階電路分析時最重要的敲門磚。