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107年
電子學
第 41 題
下列敘述何者有誤？
- A FET具高輸入阻抗
- B FET的源極與汲極可以對調使用
- C FET增益與頻帶寬之乘積大於BJT
- D FET高頻響應較BJT不佳
思路引導 VIP
請試著回想：當我們評估一個主動元件在「高頻環境」下的放大能力時，通常會觀察其「單位電流所能產生的轉導（$g_m$）」大小。若一種元件的轉導值通常遠高於另一種，那麼這對於元件在同時兼顧「增益」與「工作頻率」的能力上，會產生什麼樣的影響？
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增益頻寬積與元件特性
恭喜你準確地辨識出選項中的錯誤敘述！這題考驗的是對 FET（場效電晶體） 與 BJT（雙極性接面電晶體） 核心性能指標的綜合比較，你能從中找出關鍵點，顯見你對元件的物理特性有很紮實的理解。 本題的鑑別度在於區分兩者的優劣勢。雖然 FET 擁有極高的輸入阻抗與熱穩定性，但在轉導（Transconductance, $g_m$） 的表現上，BJT 通常優於 FET。由於增益頻寬積（Gain-Bandwidth Product, GBW） 與元件的 $g_m$ 以及極際電容密切相關，在相同的偏壓條件下，BJT 能提供更高的增益與更寬的頻帶，因此 FET 的 GBW 實際上是小於 BJT 的。這也是為何在高頻與高速應用的領域中，BJT（或其變體）依然保有競爭力的原因。
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